[實用新型]一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備的電容爆漿防護(hù)器件箱

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820605787.8
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN208157360U
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃彪;劉濤;張波
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備的電容爆漿防護(hù)器件箱，其屬于領(lǐng)域的技術(shù)，包括：呈圓柱形的箱體；設(shè)置于所述箱體內(nèi)的呈矩形的分隔擋板；呈半圓形的絕緣片，所述絕緣片設(shè)置于所述分隔擋板的另一端；所述絕緣片的上部的表面與所述分隔擋板的下長邊相連，所述絕緣片的下部的空間形成一電容安裝區(qū)域，所述絕緣片的上部的位于所述分隔擋板兩側(cè)的空間分別形成一第一器件安裝區(qū)域和一第二器件安裝區(qū)域。該技術(shù)方案的有益效果是：本實用新型能夠?qū)⒒瘜W(xué)氣相沉積設(shè)備中的電容與其它器件隔離，從而當(dāng)電容爆漿時，能夠有效的阻止電容爆漿產(chǎn)生的污染物對其它器件造成損害，提高了整個設(shè)備的安全性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及的是一種半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)，具體是一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備的電容爆漿防護(hù)器件箱。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體加工過程中，需要進(jìn)行化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)，是利用加熱等離子體激勵或光輻射等方法，使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)并以原子態(tài)沉積在置于適當(dāng)位置的襯底上，從而形成所需要的固態(tài)薄膜或涂層的過程。

化學(xué)氣相沉積是一種非常靈活、應(yīng)用極為廣泛的工藝方法，可以用來制備各種涂層、粉末、纖維和成型元器件。特別在半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)方面，化學(xué)氣相沉積的外延生長顯示出與其他外延方法(如分子束外延、液相外延)無與倫比的優(yōu)越性，即使在化學(xué)性質(zhì)完全不同的襯底上，利用化學(xué)氣相沉積也能產(chǎn)生出晶格常數(shù)與襯底匹配良好的外延薄膜。此外，利用化學(xué)氣相沉積還可生產(chǎn)耐磨、耐蝕、抗氧化、抗沖蝕等功能涂層。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。

高密度等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備，是在腔體內(nèi)的高溫環(huán)境下，通過特定的工藝氣體在等離子體增強(qiáng)條件下，在硅片的表面進(jìn)行化學(xué)氣相沉積進(jìn)而形成薄膜的設(shè)備。

高密度等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備中存在大量的電容和電感，主要用于射頻環(huán)中的負(fù)載匹配，使得射頻能量能夠得到最大效能以及精準(zhǔn)控制。出于工藝要求，等離子體需要處于長時間的工作狀態(tài)，且在高深款比填充中的需要多次進(jìn)行高低功率的快速切換，這使得設(shè)備中的電容長期處于工作狀態(tài)下，所以經(jīng)常容易發(fā)生電容爆漿現(xiàn)象。

發(fā)生電容爆漿后，電容內(nèi)的大量不明物質(zhì)以及金屬會粘附于高密度等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備內(nèi)的元器件上，也無法有效的去除，這樣會對工藝腔體造成損傷，進(jìn)而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

實用新型內(nèi)容

本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提出一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備的電容爆漿防護(hù)器件箱，能夠?qū)⒒瘜W(xué)氣相沉積設(shè)備中的電容與其它器件隔離，從而當(dāng)電容爆漿時，能夠有效的阻止電容爆漿產(chǎn)生的污染物對其它器件造成損害，提高了整個設(shè)備的安全性。

本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

本實用新型涉及一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備的電容爆漿防護(hù)器件箱，包括：

呈圓柱形的箱體；

設(shè)置于所述箱體內(nèi)的呈矩形的分隔擋板，所述分隔擋板的寬度方向與所述箱體的軸向平行，且長度方向與所述箱體的徑向平行，所述分隔擋板的一端與所述箱體的內(nèi)壁相接；

呈半圓形的絕緣片，所述絕緣片設(shè)置于所述分隔擋板的另一端；

所述絕緣片的上部的表面與所述分隔擋板的下長邊相連，所述絕緣片的下部的空間形成一電容安裝區(qū)域，所述絕緣片的上部的位于所述分隔擋板兩側(cè)的空間分別形成一第一器件安裝區(qū)域和一第二器件安裝區(qū)域。

優(yōu)選的，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備的電容爆漿防護(hù)器件箱，其中，所述絕緣片通過一呈矩形的連接板與所述分隔擋板相連，所述連接板設(shè)置于所述絕緣片的上部的表面且沿所述絕緣片的直線邊緣設(shè)置。

優(yōu)選的，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備的電容爆漿防護(hù)器件箱，其中，所述絕緣片通過多個螺栓與所述連接板相連。

優(yōu)選的，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備的電容爆漿防護(hù)器件箱，其中，所述絕緣片的材料為絕緣橡膠。