[實用新型]改善上電極板在化學機械研磨工藝中刮傷的設備

有效

• 申請號: 201820601030.1
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN208514306U
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 蔡長益
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/34
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 何金花

本實用新型屬于化學機械研磨技術領域，涉及改善上電極板在化學機械研磨工藝中刮傷的設備，包括按序依次呈圓周設置的一第一研磨臺和至少一第二研磨臺；所述第一研磨臺上安裝有第一研磨墊；所述第二研磨臺上安裝有第二研磨墊；其中，所述第一研磨墊的硬度小于所述第二研磨墊的硬度；所述設備還包括研磨頭旋轉機構，所述研磨頭旋轉機構上設置有多個研磨頭。本實用新型提供的方法及設備能有效減少半導體存儲器電容上電極板上的刮傷，有效保證其質量。

技術領域

本實用新型屬于化學研磨技術領域，涉及一種改善上電極板在化學機械研磨工藝中刮傷的設備。

背景技術

在半導體存儲器電容上電極板制程中會生成一絕緣保護層并包覆整個電容，因此絕緣保護層需要填的厚度比較高(>2um)，絕緣保護層生成過程中的階梯效應導致在生成過程中會產生高低差，所以需要化學機械研磨(CMP)進行平坦化。由于研磨的時間會相當長，為了降低CMP研磨的負擔，會在CMP前先進行蝕刻制程，將組件陣列區上的部分絕緣保護層去除，有效減少CMP的研磨時間，之后再進入CMP完成平坦化的制程。

不過在CMP前進行蝕刻，蝕刻后會造成絕緣保護層對應于組件陣列區的邊緣形成有突出角，此突出角于CMP研磨時容易撕裂剝離從而產生大顆的顆粒，此顆粒如果掉落在研磨墊上會造成后續的晶圓產生刮傷缺陷，從而導致在后續的金屬沉積制程中發生短路異常現象。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供一種改善上電極板在化學機械研磨工藝中刮傷的設備，以至少解決現有技術中存在的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型采取的技術方案為，一種改善上電極板在化學機械研磨工藝中刮傷的設備，包括按序依次呈圓周設置的一第一研磨臺和至少一第二研磨臺；

所述第一研磨臺上安裝有第一研磨墊；所述第二研磨臺上安裝有第二研磨墊；其中，所述第一研磨墊的硬度小于所述第二研磨墊的硬度；

所述設備還包括研磨頭旋轉機構，所述研磨頭旋轉機構上設置有多個研磨頭，所述研磨頭用于夾持待研磨的晶圓，并在所述研磨頭旋轉機構的帶動下，旋轉至對應研磨臺上，并施加壓力至對應研磨臺上的所述第一研磨墊和所述第二研磨墊。

優選地，所述設備還包括第三研磨臺，所述第一研磨臺、所述第二研磨臺、所述第三研磨臺依次呈圓周設置，所述第三研磨臺上安裝有第三研磨墊，所述第一研磨墊的硬度小于所述第三研磨墊的硬度；所述研磨頭還用于夾持所述待研磨的晶圓，并在所述研磨頭旋轉機構的帶動下，旋轉至第三研磨臺上，并施加壓力至所述第三研磨墊。

優選地，所述設備還包括第四研磨臺，所述第一研磨臺、所述第二研磨臺、所述第三研磨臺、所述第四研磨臺依次呈圓周設置，所述第四研磨臺上安裝有第四研磨墊，所述第一研磨墊的硬度小于所述第四研磨墊的硬度；所述研磨頭還用于夾持所述待研磨的晶圓，并在所述研磨頭旋轉機構的帶動下，旋轉至第四研磨臺上，并施加壓力至所述第四研磨墊。

優選地，所述設備還包括第一研磨液導入裝置與第一清洗裝置，所述第一研磨液導入裝置設置于所述第一研磨臺上，用于提供第一研磨液于所述第一研磨墊上；所述第一清洗裝置設置于所述第一研磨臺上，用于提供兩性離子表面活性劑對研磨后的晶圓進行清洗；

所述設備還包括第二研磨液導入裝置與第二清洗裝置，所述第二研磨液導入裝置設置于所述第二研磨臺上，用于提供第二研磨液于所述第二研磨墊上；所述第二清洗裝置設置于所述第二研磨臺上，用于提供兩性離子表面活性劑對研磨后的晶圓進行清洗。

優選地，所述設備還包括第三研磨液導入裝置與第三清洗裝置，所述第三研磨液導入裝置設置于所述第三研磨臺上，用于提供第三研磨液于所述第三研磨墊上；所述第三清洗裝置設置于所述第三研磨臺上，用于提供兩性離子表面活性劑對研磨后的晶圓進行清洗。