[實用新型]蒸發源的蒸發速率控制設備有效
| 申請號: | 201820591025.7 | 申請日: | 2018-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN208501091U | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 王曉尉 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蒸發源 鍍膜參數 蒸發 控制器 加熱功率調整 速率控制設備 本實用新型 在線采集 采集基板 發送 | ||
本實用新型實施例公開了一種蒸發源的蒸發速率控制設備。設備包括相連接的控制器和在線采集儀;在線采集儀用于采集基板的鍍膜參數,并將所述鍍膜參數發送至所述控制器;所述控制器,用于根據接收的鍍膜參數生成加熱功率調整量,并基于所述加熱功率調整量對蒸發源的蒸發速率進行控制。本實用新型實施例提供的設備可以控制蒸發源的蒸發速率。
技術領域
本實用新型實施例涉及工程控制技術,尤其涉及一種蒸發源的蒸發速率控制設備。
背景技術
CIGS是太陽能薄膜電池的簡寫,主要組成有Cu(銅)、In(銦)、Ga(鎵)、Se(硒)。在玻璃襯底上沉積銅銦鎵硒功能膜,是CIGS生產的核定技術。其中,共蒸發鍍膜CIGS是目前較為成熟的方法。CIGS中CU、IN、GA、SE四元素的配比和厚度決定了薄膜的質量,而元素配比和厚度與各元素的蒸發速率有直接關系。因此,有必要控制各蒸發源的蒸發速率。
由于各蒸發源的蒸發速率受到多種因素的影響,比如蒸發源的膜料量,膜料蒸發后在真空腔室的分壓,蒸發源自身電阻、電流以及蒸發源的安裝位置等,并且隨著膜料的蒸發,膜料受熱情況發生改變,膜料的蒸發速率也受到影響,因此,難以對各蒸發源的蒸發速率進行有效控制。
實用新型內容
本實用新型實施例提供一種蒸發源的蒸發速率控制設備,以控制蒸發源的蒸發速率。
本實用新型實施例提供了一種蒸發源的蒸發速率控制設備,包括:相連接的控制器和在線采集儀;
在線采集儀用于采集基板的鍍膜參數,并將所述鍍膜參數發送至所述控制器;
所述控制器,用于根據接收的鍍膜參數生成加熱功率調整量,并基于所述加熱功率調整量對蒸發源的蒸發速率進行控制。
可選地,還包括:膜厚控制儀和采集部件;
所述采集部件,用于采集鍍著第一目標鍍膜元素所引起的振蕩頻率;
所述膜厚控制儀分別與所述控制器和所述采集部件連接,用于從采集部件獲取振蕩頻率的變化量,根據所述變化量得到所述第一目標鍍膜元素的厚度,并將所述第一目標鍍膜元素的厚度發送至所述控制器;
所述控制器,用于根據所述鍍膜參數和第一目標鍍膜元素的厚度生成所述加熱功率調整量。
可選地,所述采集部件包括探頭、用于至少部分容納所述探頭的探頭腔室以及與探頭連接的振蕩器;
所述探頭,用于采集第一目標鍍膜元素的分壓;
連接于所述探頭的所述振蕩器,用于在所述第一目標鍍膜元素的分壓作用下,進行振蕩。
可選地,所述采集部件的數量為至少兩個;
所述采集部件的探頭腔室與所述蒸發源間的距離在設定距離范圍內。
可選地,還包括第一隔離組件;
所述第一隔離組件安裝在CIGS腔室與所述探頭腔室之間;
所述CIGS腔室用于容納所述蒸發源;
其中,所述第一隔離組件用于切換所述探頭腔室與所述CIGS腔室間的連通狀態。
可選地,還包括:采樣部件和離線采集儀;
所述采樣部件,用于鍍著第二目標鍍膜元素;
所述離線采集儀分別與所述采樣部件和控制器連接,用于采集所述采樣部件上的鍍膜采樣參數,并發送至所述控制器;
所述控制器,用于根據接收的鍍膜參數、第一目標鍍膜元素的厚度和鍍膜采樣參數生成所述加熱功率調整量。
可選地,采樣部件包括:樣片、用于裝載所述樣片的樣片架和第二隔離組件;
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