[實用新型]一種掩膜版組件有效
| 申請號: | 201820576296.5 | 申請日: | 2018-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN208224711U | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發明(設計)人: | 曹阿江 | 申請(專利權)人: | 湖州博立科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 杭州新源專利事務所(普通合伙) 33234 | 代理人: | 李大剛 |
| 地址: | 313009 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 下槽口 導槽 本實用新型 上槽口 垂直的 側邊 凸板 制備 平行 垂直 靈活 | ||
本實用新型公開了一種掩膜版組件,包括下掩膜版(1),下掩膜版(1)兩側的上部還設有導槽(14),下掩膜版(1)上還設有一個以上的下槽口(12),下槽口(12)與導槽(14)垂直;下掩膜版(1)通過導槽(14)連接有上掩膜版(2),上掩膜版(2)上設有與下槽口(12)對應的上槽口(22),上槽口(22)和下槽口(12)平行且形狀相同,上掩膜版(2)與導槽(14)垂直的側邊還設有凸板(23)。本實用新型具有制備出的導線寬度可以調整,可以適應靈活多變的實驗方案的特點。
技術領域
本實用新型涉及一種電子產品研發用的掩膜裝置,特別是一種掩膜版組件。
背景技術
在電子產品的研發和制備過程中需要在基板上形成特定的圖案,這種圖案的形成是通過掩膜版實現的,掩膜版上開有各種形狀和尺寸的通孔形成鏤空區,其余部分是遮擋區,真空腔體中待鍍材料分子可以穿過鏤空區在基板上沉積形成特定的圖案。在光伏產品研發、顯示面板驅動電極制備等領域需要在基板的空余區域布置導線。現有的掩膜版采用單層結構,這種掩膜版一旦加工完成,其所能制備的導線寬度就已經固定,對于寬窄不同的空余區域需要設計不同尺寸的掩膜版。在電子產品的研發階段,經常需要調整導線布置方式以適應新的實驗方案,重新設計掩膜版需要消耗大量時間,嚴重影響電子產品研發進度。因此,現有的掩膜版,存在制備出的導線寬度不可調整,難以適應靈活多變的實驗方案的問題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于,提供一種掩膜版組件。本實用新型具有制備出的導線寬度可以調整,可以適應靈活多變的實驗方案的特點。
本實用新型的技術方案:一種掩膜版組件,包括下掩膜版,下掩膜版兩側的上部還設有導槽,下掩膜版上還設有一個以上的下槽口,下槽口與導槽垂直;下掩膜版通過導槽連接有上掩膜版,上掩膜版上設有與下槽口對應的上槽口,上槽口和下槽口平行且形狀相同,上掩膜版與導槽垂直的側邊還設有凸板。
前述的掩膜版組件中,所述下掩膜版,一側邊上部設有刻度線。
前述的掩膜版組件中,所述刻度線,平行于所述下槽口。
前述的掩膜版組件中,所述凸板,形狀為矩形。
與現有技術相比,本實用新型通過采用兩層掩膜版重疊的方法可以制備出多種寬度的導線。本實用新型通過設置下掩膜版和上掩膜版兩層掩膜版使基板上沉積的導線形狀不再是下槽口或上槽口的形狀而是下槽口和上槽口的重疊部分;通過改變下掩膜版和上掩膜版的相對位置可以改變下槽口和上槽口重疊部分的面積,從而改變沉積的導線寬度;通過觀察凸板邊緣偏離刻度線零點的距離可以確定導線寬度減小的尺寸,從而準確調整導線寬度。本實用新型具有制備出的導線寬度可以調整,可以適應靈活多變的實驗方案的特點。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖;
圖2是下掩膜版的結構示意圖;
圖3是上掩膜版的結構示意圖;
附圖中的標記為:1-下掩膜版,12-下槽口,13-刻度線,14-導槽,2-上掩膜版,22-上槽口,23-凸板。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明,但并不作為對本實用新型限制的依據。
實施例。掩膜版組件,構成如圖1-3所示,包括下掩膜版1,下掩膜版1兩側的上部還設有導槽14,下掩膜版1上還設有一個以上的下槽口12(參考圖2),下槽口12與導槽14垂直;下掩膜版1通過導槽14連接有上掩膜版2,上掩膜版2上設有與下槽口12對應的上槽口22,上槽口22和下槽口12平行且形狀相同,上掩膜版2與導槽14垂直的側邊還設有凸板23。
所述下掩膜版1,一側邊上部設有刻度線13。
所述刻度線13,平行于所述下槽口12。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





