[實用新型]一種絕緣柵底場效應管

有效

• 申請號: 201820573621.2
• 申請日: 2018-04-21
• 公開（公告）號: CN208444842U
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 鄭治龍;覃仕明
• 申請（專利權）人: 鄭治龍;覃仕明
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 張家界市慧誠商標專利事務所 43209
• 代理人: 高紅旺

本實用新型提供一種絕緣柵底場效應管，具有P型硅片襯底（1），在P型硅片襯底（1）中具有兩個N+區（2），在位于N+區（2）一邊的P型硅片襯底（1）表面設置有上絕緣層（3），兩個N+區（2）分別有源極（4）和漏板（5）引出上絕緣層（3）外，其特征在于，在源極（4）與漏極（5）之間的上絕緣層（3）上引出柵極（6），在P型硅片襯底（6）另一面設置有下絕緣層（7），在下絕緣層（7）外表面設置鋁箔（8），在鋁箔（8）上引出絕緣底（9）。本實用新型可以實現源極、漏極互換，可以控制交、直流電流，用于音響技術方面，具有電子管較好的高中音效果，也具備晶體管的較好的低音效果，而且還具有比電子管的失真小等特點。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造領域，特別是涉及一種絕緣柵場效應管。

背景技術

現在的場效應管一般要嚴格區分正負極加于源極漏極，即只能控制直流電流，不能控制交流電流。但一些解碼器需要將控制信號與被控制信號完全分開，而且是用電壓控制交流電流，但現有的場效應管不適合上述要求。中國專利公開的“一種溝槽型絕緣柵場效應管”（201110422748.7），包括 N 型外延層下形成有 P 型注入層，N 型外延層上部形成有溝槽，溝槽內形成有柵氧化層和多晶硅柵，溝槽兩側形成有 P 型阱和 N 型有源區，N 型有源區位于 P 阱上方，其中，N 型有源區中形成有圓形鏤空結構，層間氧化介質形成于溝槽、圓形鏤空結構和 N 型有源區上方，接觸孔下方具有 P 型注入區，接觸孔穿過層間氧化介質將 N 型有源區和 P型注入區連出。該絕緣柵場效應管不能用電壓控制，不能解控制信號與被控制信號完全分開。

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種絕緣柵場效應管，其是基于現有絕緣柵場效應管的延伸，可以實現源極、漏極互換，可以控制交、直流電流。

為實現上述目的，本實用新型的實施方案為：一種絕緣柵底場效應管，具有P型硅片襯底，在P型硅片襯底中具有兩個N+區，在位于N+區一邊的P型硅片襯底表面設置有上絕緣層，兩個N+區分別有源極和漏極引出上絕緣層外，在源極與漏極之間的上絕緣層上引出柵極，在P型硅片襯底另一面設置有下絕緣層，在下絕緣層外表面設置鋁箔，在鋁箔上引出絕緣底。

具有上述結構的絕緣柵底場效應管為N溝道增強型的絕緣柵底場效應管。

作為另外一種實施方式，即N溝道耗盡型的絕緣柵底場效應管，其與N溝道增強型的絕緣柵底場效應管結構基本相同，只是在鋁電極柵極與P型硅片襯底之間的上絕緣層中具有大量正離子。

作為優化的實施方式，所述上絕緣層和下絕緣層為SiO₂或Si₃N₄。

本實用新型利用電壓控制電流，在需要使用絕緣柵型場效應管的場合下，照樣可以使用本絕緣柵底場效應管，可以實現源極、漏極互換，可以控制交、直流電流。其可以替代繼電器（或接觸器），且比它們的性能更好（無觸點、無極性、可調性、功耗小等），特別是結構和電子管相似，用于音響技術方面，其具有電子管較好的高中音效果，也具備晶體管的較好的低音效果，而且還具有比電子管的失真小等特點。

附圖說明

圖1為N溝道增強型的絕緣柵底場效應管結構圖。

圖2為N溝道耗盡型的絕緣柵底場效應管結構圖。

圖3和圖4是N溝道增強型絕緣柵底場效應管的工作原理圖。

圖5是N溝道耗盡型絕緣柵底場效應管的工作原理圖。

圖中，1-P型硅片襯底，2-N+區，3-上絕緣層，4-源極，5-漏極，6-柵極，7-下絕緣層，8-鋁箔，9-絕緣底，10-正離子。

具體實施方式

下面結合實施例，詳細說明本實用新型。

實施例1: