[實用新型]一種降低應力遷移的金屬互連結構有效
| 申請號： | 201820572220.5 | 申請日： | 2018-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN208028059U | 公開（公告）日： | 2018-10-30 |
| 發明（設計）人： | 姚斌;陳雷剛 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/535 | 分類號： | H01L23/535 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201315 上海市浦東新區中國（上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 下金屬層 連接通孔 通孔 上金屬層 應力遷移 介質層 金屬層 金屬互連結構 半導體領域 本實用新型 空位聚集 空位擴散 相鄰設置 應力梯度 上端 阻礙 盲孔 下端 開口 | ||
1.一種降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，包括：
相鄰設置的下金屬層和上金屬層，所述下金屬層和所述上金屬層之間設有介質層；
連接通孔，所述連接通孔設置于所述介質層，所述連接通孔上端與所述上金屬層相連，所述連接通孔的下端通過一呈條形的窄金屬層與所述下金屬層相連；
多個偽通孔，所述偽通孔為設置于所述介質層中的盲孔，所述偽通孔的開口與所述下金屬層相接。
2.根據權利要求1所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述下金屬層的上表面開設有一溝槽，所述溝槽位于所述下金屬層和所述窄金屬層的連接處。
3.根據權利要求2所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述溝槽呈條形，所述溝槽的長度方向與所述窄金屬層的長度方向相垂直。
4.根據權利要求2所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述溝槽呈L字形，所述溝槽的一邊垂直于所述窄金屬層的長度方向。
5.根據權利要求2所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述溝槽呈正方形，所述溝槽的一邊垂直于所述窄金屬層的長度方向。
6.根據權利要求1所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述偽通孔均勻排列于所述窄金屬層的兩側。
7.根據權利要求6所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述窄金屬層的兩側的所述偽通孔組成多個條形隊列，每一所述條形隊列的延伸方向與所述窄金屬層的長度方向平行。
8.根據權利要求7所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述窄金屬層的兩側分別設置兩條或三條所述條形隊列。
9.根據權利要求1所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述偽通孔橫截面呈矩形。
10.根據權利要求1所述的降低應力遷移的金屬互連結構，其特征在于，所述偽通孔的長度方向垂直于所述下金屬層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力集成電路制造有限公司，未經上海華力集成電路制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820572220.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
