[實用新型]一種用于單晶硅生長的二次加料裝置有效
| 申請號： | 201820565897.6 | 申請日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN208087781U | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發明（設計）人： | 田龍;汪奇;高彬彬;黎濤 | 申請（專利權）人： | 新疆晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/02 | 分類號： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址： | 835800 新疆維吾爾自*** | 國省代碼： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外筒 二次加料裝置 單晶硅生長 控制構件 驅動構件 內筒 本實用新型 嵌套 單晶硅生產 上下移動 石英材料 使用壽命 下端 驅動 封閉 支撐 開放 | ||
1.一種用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，包括:外筒、內筒、控制構件和驅動構件；
所述內筒嵌套在所述外筒內；被所述外筒支撐；
所述內筒為石英材料；
所述控制構件設置在所述外筒的下端，能夠選擇地控制所述外筒的下端的開放或封閉；
所述控制構件與所述驅動構件連接，被所述驅動構件驅動上下移動。
2.根據權利要求1所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述控制構件的上端面較所述控制構件的下端面小；
所述上端面與所述下端面之間為弧面；
所述弧面的凸起部超向所述控制構件的內側。
3.根據權利要求2所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述控制構件為石英材料。
4.根據權利要求3所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述外筒的下部內側具有凸出部；所述凸出部位于所述內筒的下方，以防止所述內筒下落。
5.根據權利要求4所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述控制構件與所述驅動構件通過桿件連接；
所述驅動構件設置在所述外筒的上方；所述桿件的一端與所述驅動構件鉸接，另一端與所述控制構件固定連接；所述桿件沿所述內筒的軸向穿過所述內筒。
6.根據權利要求5所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述桿件上固定地設置有限位構件，用于限制所述桿件向下移動的距離。
7.根據權利要求6所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述內筒的上端具有沿所述內筒的徑向向外延伸的邊緣；
所述邊緣被所述外筒支撐，以形成對所述內筒的支撐。
8.根據權利要求7所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述邊緣與所述外筒之間設置有聚四氟乙烯墊圈。
9.根據權利要求8所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述控制構件的外徑較所述外筒的外徑大。
10.根據權利要求9所述的用于單晶硅生長的二次加料裝置，其特征在于，
所述外筒上固定地設置有連接構件，用于與石英坩堝連接。
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