[實用新型]雙路正端電流采樣模塊、采樣電路、開關電路

有效

• 申請號: 201820550748.2
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN208334471U
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 余東升;黃飛明;勵曄;婁冬;楊潺
• 申請（專利權）人: 無錫硅動力微電子股份有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;G01R1/30;H03K17/687
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;屠志力

1.一種雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，包括：阻值相同的電阻R5、R6、R7，相同的PMOS管MP1、MP2、MP3，相同的PMOS管MP4和MP5，電阻R8，電流相等的電流源IS1、IS2、IS3；

電阻R5的一端接PMOS管MP1的源極、PMOS管MP4的源極、PMOS管MP5的源極；電阻R6的一端接PMOS管MP2的源極；電阻R7的一端接PMOS管MP3的源極；PMOS管MP1的柵極連接PMOS管MP2的柵極、PMOS管MP3的柵極以及MP1的漏極；PMOS管MP1的漏極通過電流源IS1接芯片地，PMOS管MP2的漏極通過電流源IS2接芯片地，PMOS管MP3的漏極通過電流源IS2接芯片地；PMOS管MP4的柵極接PMOS管MP2的漏極，PMOS管MP5的柵極接PMOS管MP3的漏極；PMOS管MP4和MP5的漏極接電阻R8的一端，電阻R8的另一端接芯片地；電阻R8的一端用于輸出電壓反饋信號V_SEN。

2.如權利要求1所述的雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，

PMOS管MP1、MP2、MP3為低壓PMOS管。

3.如權利要求1所述的雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，

PMOS管MP4和MP5為薄柵氧高壓PMOS管。

4.如權利要求1所述的雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，

PMOS管MP1、MP2、MP3的柵長為5μm以上。

5.如權利要求1所述的雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，

PMOS管MP1、MP2、MP3的柵寬為5μm以上。

6.一種雙路正端電流采樣電路，其特征在于，包括第一輸出支路、第二輸出支路，以及如權利要求1～5中任一項所述的雙路正端電流采樣模塊；第一輸出支路包括采樣電阻R1和負載R4，第二輸出支路包括采樣電阻R2和負載R3；

采樣電阻R1和R2的一端連接在一起，并連接電阻R5的另一端，采樣電阻R1和R2相連接的一端為采樣電阻公共端；采樣電阻R2的另一端連接電阻R6的另一端和負載R3的一端；采樣電阻R1的另一端連接電阻R7的另一端和負載R4的一端；負載R3和R4的另一端接地，雙路正端電流采樣模塊的芯片地也接地。