[實用新型]基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構

有效

• 申請號: 201820550418.3
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN208570660U
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 黎兆早;賴志文;翟永剛
• 申請（專利權）人: 廣州東有電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60
• 代理公司: 深圳市合道英聯專利事務所(普通合伙) 44309
• 代理人: 廉紅果

1.一種基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：它包括多層陶瓷基板、設置在多層陶瓷基板上的LED芯片陣列、銀膠導電線路和熒光膠層，所述多層陶瓷基板包括透光耐壓陶瓷層、透光高導熱陶瓷層和透光熒光陶瓷層，透光高導熱陶瓷層設置在透光耐壓陶瓷層與透光熒光陶瓷層之間，透光高導熱陶瓷層的反面貼合在透光耐壓陶瓷層的正面上，所述透光高導熱陶瓷層的正面貼合在透光熒光陶瓷層的反面上；所述銀膠導電線路設置在所述透光熒光陶瓷層的正面上；所述LED芯片陣列包括若干均勻間隔排布的LED芯片，所述LED芯片以陣列形式密集排布于透光熒光陶瓷層的正面上且對應于銀膠導電線路的位置，每一所述LED芯片均與銀膠導電線路電性連接；所述熒光膠層蓋設在所述LED芯片上。

2.根據權利要求1所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述透光高導熱陶瓷層的導熱率大于100W/mK。

3.根據權利要求1所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述透光熒光陶瓷層的厚度為50～200um。

4.根據權利要求1所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述透光高導熱陶瓷層的厚度為200～500um。

5.根據權利要求1所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述透光耐壓陶瓷層的厚度為300～500um。

6.根據權利要求1所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述銀膠導電線路是通過沉積的導電銀金屬通過干法或濕法蝕刻形成在所述透光熒光陶瓷層上。

7.根據權利要求1所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述可降低LED芯片結溫的LED光源結構還包括用于降低菲涅爾損失系數以提高LED芯片的出光效率的透光陶瓷透鏡，所述透光陶瓷透鏡的數量與所述LED芯片的數量保持一致，每一所述透光陶瓷透鏡設置在透光熒光陶瓷層的正面上并相應于LED芯片的位置，并將LED芯片包覆在透光陶瓷透鏡內。

8.根據權利要求7所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述透光陶瓷透鏡為半球形、超半球形、半橢球形、棱形或菲涅爾透鏡形。

9.根據權利要求7所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述透光陶瓷透鏡的出光面鍍增透膜，以在透光陶瓷透鏡的透光表層形成出光增透膜層。

10.根據權利要求7所述的基于COB封裝的降低LED芯片結溫的LED光源結構，其特征在于：所述透光陶瓷透鏡的入光面依次鍍入光增透膜層和入光全反射膜層。