[實用新型]一種熔斷式密封雙層安瓿

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820550151.8
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN209024672U
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 艾青
• 申請（專利權(quán)）人: 湖北理工學(xué)院
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/54
• 代理公司: 武漢智嘉聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 42231
• 代理人: 陳建軍

本實用新型公開了一種熔斷式密封雙層安瓿，包括：第一石英管、第二石英管、第三石英管及石英柱，所述第一石英管包括第一石英管本體、第一毛細(xì)管及第二毛細(xì)管，所述第一石英管本體豎直布置；所述第二石英管密封套設(shè)于所述第一石英管，且其內(nèi)壁與所述第一石英管的外壁之間形成一容納腔；所述第三石英管豎直布置且其上、下端均開口，所述第三石英管的下端與所述第一石英管本體的上端連通，且其連接部位設(shè)置有卡接部；所述石英柱內(nèi)置于所述第三石英管，且其下端抵接于所述卡接部，所述石英柱設(shè)置有內(nèi)腔，所述石英柱的內(nèi)腔填充有冷卻液。本實用新型的所述第二石英管密封套設(shè)于所述第一石英管，減輕了所述第一石英管內(nèi)部的有機(jī)物晶體受到熱沖擊。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及安瓿領(lǐng)域，尤其是涉及一種熔斷式密封雙層安瓿。

背景技術(shù)

垂直布里奇曼晶體生長熔爐常采用管式結(jié)構(gòu)，爐內(nèi)溫度場分為3個區(qū)域，即熱區(qū)、梯度區(qū)和冷區(qū)。熱區(qū)的溫度設(shè)置為比晶體熔點Tm略高，冷區(qū)的溫度則低于Tm，梯度區(qū)的溫度在兩者之間，逐漸降低以形成單向溫度梯度。首先，將原材料裝入安瓿中，然后將安瓿放置在熱區(qū)，持續(xù)加熱一段時間，使其熔化后充分對流以得到均勻的熔體。其次，通過安瓿或爐體的移動使安瓿從熱區(qū)經(jīng)梯度區(qū)向冷區(qū)作相對運動。進(jìn)入梯度區(qū)后，安瓿底部開始冷卻，隨后溫度低于熔點的熔體出現(xiàn)結(jié)晶。隨著安瓿的連續(xù)移動，結(jié)晶界面則沿著與其相反的方向移動，從而實現(xiàn)晶體的連續(xù)生長。現(xiàn)有技術(shù)中的安瓿一般為單層結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部的有機(jī)物晶體易受到熱沖擊，使得安瓿內(nèi)的晶體在熱應(yīng)力作用下易裂開。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服上述技術(shù)不足，提出一種熔斷式密封雙層安瓿，解決現(xiàn)有技術(shù)中安瓿一般為單層結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部的有機(jī)物晶體易受到熱沖擊的技術(shù)問題。

為達(dá)到上述技術(shù)目的，本實用新型的技術(shù)方案提供一種熔斷式密封雙層安瓿，包括：第一石英管、第二石英管、第三石英管及石英柱，所述第一石英管包括第一石英管本體、第一毛細(xì)管及第二毛細(xì)管，所述第一石英管本體豎直布置；所述第一毛細(xì)管向下傾斜布置，且其上端與所述第一石英管本體的底部連通；所述第二毛細(xì)管向下傾斜布置，且其上端與所述第一毛細(xì)管的下端連通，并且所述第二毛細(xì)管與所述第一毛細(xì)管連接部位有一折角；所述第二石英管密封套設(shè)于所述第一石英管，且其內(nèi)壁與所述第一石英管的外壁之間形成一容納腔；所述第三石英管豎直布置且其上、下端均開口，所述第三石英管的下端與所述第一石英管本體的上端連通，且其連接部位設(shè)置有卡接部；所述石英柱內(nèi)置于所述第三石英管，且其下端抵接于所述卡接部，所述石英柱設(shè)置有內(nèi)腔，所述石英柱的內(nèi)腔填充有冷卻液。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果包括：該熔斷式密封雙層安瓿在使用之前所述石英柱與所述第三石英管處于分離狀態(tài)，用戶可將生長晶體的原料通過所述第三石英管裝填至所述第一石英管本體的底部，裝填完成之后塞入所述石英柱，將所述第三石英管的上端開口與外部分子泵的抽氣口連通，抽氣的同時使用氧炔焰對所述第三石英管進(jìn)行熔斷焊接，使其熔融并與所述石英柱密封連接；所述第二石英管密封套設(shè)于所述第一石英管，減輕了所述第一石英管內(nèi)部的有機(jī)物晶體受到熱沖擊；所述石英柱的內(nèi)腔填充有冷卻液，可吸收部分熱量，減輕了焊接過程產(chǎn)生的熱量對所述生長晶體的原料造成影響；生長晶體的過程中，融化的所述生長晶體的原料會先通過所述第一毛細(xì)管及所述第二毛細(xì)管流到所述第二石英管的底部，并在所述第二石英管的底部產(chǎn)生多個晶核，所述第一毛細(xì)管及所述第二毛細(xì)管可以限制品質(zhì)較差的晶核進(jìn)入所述第一石英管本體，確保了在生長初期僅有一個優(yōu)質(zhì)的晶核進(jìn)入所述第一石英管本體。

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1中A-A面的剖視示意圖。

圖3是本實用新型去除石英柱后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本實用新型中石英柱的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式