[實用新型]一種三維碳納米管薄膜電極結構有效
| 申請號： | 201820544534.4 | 申請日： | 2018-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN207977116U | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 周陽辛;丁莞爾;王超;秦剛華;駱周揚;李卓斌 | 申請（專利權）人： | 浙江浙能技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01B5/00 | 分類號： | H01B5/00;H01B5/14;H01B1/04 |
| 代理公司： | 浙江翔隆專利事務所(普通合伙) 33206 | 代理人： | 戴曉翔 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜電極 導電薄膜 碳納米管薄膜 變形薄膜 本實用新型 電極結構 基板 電子器件性能 三維 貼合 創造條件 技術缺陷 相鄰物質 形狀變化 可改變 受限 緊貼 變形 | ||
【權利要求書】：
1.一種三維碳納米管薄膜電極結構，包括基板（1）和設于其上的導電薄膜（3），其特征是所述基板（1）和導電薄膜（3）之間設有可改變形狀的變形薄膜層（2），所述變形薄膜層（2）兩面分別緊貼基板（1）和導電薄膜（3），所述導電薄膜（3）為碳納米管薄膜，并且可隨一面貼合的變形薄膜層（2）變形而改變形狀。
2.根據權利要求1所述的三維碳納米管薄膜電極結構，其特征是所述碳納米管薄膜為單壁碳納米管、多壁碳納米管、碳納米管束三者之一單獨或者復合制備形成的薄膜。
3.根據權利要求1所述的三維碳納米管薄膜電極結構，其特征是所述變形薄膜層（2）的形狀變化為其所在平面上一個維度或兩個維度的變形。
4.根據權利要求1至3之一所述的三維碳納米管薄膜電極結構，其特征是所述變形薄膜層（2）為導電材料制成。
5.根據權利要求1至3之一所述的三維碳納米管薄膜電極結構，其特征是所述基板（1）為導電材料制成。
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