[實用新型]一種新型MOSFET驅動電路

有效

• 申請號: 201820541100.9
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN208272947U
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 彭憲奇;李有凱
• 申請（專利權）人: 南京創佳通訊電源設備有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 南京匯恒知識產權代理事務所(普通合伙) 32282
• 代理人: 房鑫磊

本實用新型公開一種新型MOSFET驅動電路，包括變壓器和整流電路D1，整流電路D1的兩個輸入端分別與變壓器次級線圈的兩個輸出端連接，電阻R1和穩壓電路ZD2串聯連接，電容C1和電容C2串聯連接，電容C1與電阻R1并聯連接，電容C2與穩壓電路ZD2并聯連接，整流電路D1的輸出VCC和輸出VEE分別與驅動電路連接并給驅動電路供電，整流電路D1的其中一個輸入端通過驅動信號輸入電路R2與驅動電路的信號輸入端連接，驅動電路的信號輸出端與MOSFET的柵級連接，MOSFET的源極分別與電阻R1和穩壓電路ZD2之間的電路、電容C1和電容C2之間的電路連接；本實用新型驅動電路采用信號和供電由同一變壓器提供，電路簡單，失效率極低，而且可以使得在同一橋臂上的兩個MOSFET的占空比沒有限制。

技術領域

本實用新型涉及一種帶負壓的隔離驅動電路，尤其涉及一種新型MOSFET驅動電路，屬于MOSFET驅動電路技術領域。

背景技術

MOSFET在開關電源中被廣泛應用，但由于其自身分布電容的原因，在橋式電路中，由上管或下管導通或關斷時，易導致同一橋臂上另一管誤導通，從而導致上下管同時處于導通狀態，進而發生故障，MOSFET，特別是碳化硅SiC MOSFET驅動有負壓時，可極大的減小上述風險；目前，大多數帶負壓的驅動電路主要采用信號和供電分離，如各大品牌的集成驅動電路，造成總體電路復雜，且失效率高，也有部分采用信號和供電合一方式，但其不能確認在同一橋臂上的一個MOSFET被驅動時另一個MOSFET的負壓已建立，有的甚至只能在占空比為50%：50%左右正常工作。

發明內容

為解決現有技術的不足，本實用新型提供一種新型MOSFET驅動電路，驅動電路采用信號和供電分離，且由同一變壓器提供，電路簡單，失效率極低，而且可以使得在同一橋臂上的兩個MOSFET的占空比沒有限制。

本實用新型所采用的技術方案為：

一種新型MOSFET驅動電路，包括變壓器、整流電路D1、驅動電路、MOSFET、電阻R1、驅動信號輸入電路R2、穩壓電路ZD2、電容C1和電容C2，所述整流電路D1的兩個輸入端分別與變壓器次級線圈的兩個輸出端連接，所述電阻R1和穩壓電路ZD2串聯連接，且穩壓電路ZD2的正極與整流電路D1的輸出VEE連接，穩壓電路ZD2的負極與電阻R1的一端連接，電阻R1的另一端與整流電路D1的輸出VCC連接，所述電容C1和電容C2串聯連接，且所述電容C1與電阻R1并聯連接，所述電容C2與穩壓電路ZD2并聯連接，所述整流電路D1的輸出VCC和輸出VEE分別與驅動電路連接并給驅動電路供電，所述整流電路D1的其中一個輸入端通過驅動信號輸入電路R2與驅動電路的信號輸入端連接，驅動電路的信號輸出端與MOSFET的柵級連接，MOSFET的源極分別與電阻R1和穩壓電路ZD2之間的電路、電容C1和電容C2之間的電路連接。

作為本實用新型的進一步優選，所述的整流電路D1是一體式的整流橋或由二極管組成。

作為本實用新型的進一步優選，所述的MOSFET 的型號是Si場效應晶體管、SiC場效應晶體管或GaN場效應晶體管中的任一種。

作為本實用新型的進一步優選，所述的穩壓電路ZD2的電壓是由MOSFET所需的負壓值來確定。

作為本實用新型的進一步優選，電容C1和電容C2的電容量是根據VCC和VEE以及驅動電路所需電流和輸入信號的周期來確定，具體是：T×Iavg=(0.05～0.1)× VCC×C1，其中，T為輸入信號周期，Iavg為驅動電路平均輸入工作電流，C1為C1的電容量；T×Iavg=(0.05～0.1)×VEE×C2，其中，T為輸入信號周期，Iavg為驅動電路平均輸入工作電流，C2為C2的電容量；以保證在一個周期內驅動電路有充足的供電。

作為本實用新型的進一步優選，所述的電容C1和電容C2的電容量相同或不同。