[實(shí)用新型]一種寬能反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820530974.4
• 申請(qǐng)日: 2018-04-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208110056U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱遠(yuǎn)法
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京核安核能科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01T1/203
• 分類(lèi)號(hào): G01T1/203
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種寬能反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀，包括屏蔽室，所述屏蔽室內(nèi)的底側(cè)中部設(shè)置有環(huán)形探測(cè)器，所述環(huán)形探測(cè)器內(nèi)部分別設(shè)置有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔內(nèi)的相對(duì)應(yīng)側(cè)邊均設(shè)置有第二光電倍增管，所述第一空腔的底側(cè)中部設(shè)置有主探測(cè)器，且所述主探測(cè)器的頂端固定于所述第二空腔的底部，所述主探測(cè)器的頂端設(shè)置有置物臺(tái)，且所述置物臺(tái)的底部固定于所述第二空腔的底部，所述屏蔽室外壁設(shè)置有銅內(nèi)襯，所述銅內(nèi)襯外壁設(shè)置有內(nèi)鉛環(huán)，所述內(nèi)鉛環(huán)外壁設(shè)置有鎘吸收片。有益效果：這種裝置同時(shí)實(shí)現(xiàn)反康普頓散射和反宇宙射線的功能，進(jìn)一步提高放射性測(cè)量的精度，最大限度的降低檢測(cè)下限。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及放射性測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)，涉及一種寬能反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀。

背景技術(shù)

γ射線能量為幾十KeV到MeV的能量范圍內(nèi)，半導(dǎo)體探測(cè)器、閃爍晶體探測(cè)器測(cè)得的能譜中，康普頓坪的面積往往比較大，給復(fù)雜譜的解析增加了難度。較低能量的γ射線的全能峰會(huì)疊加在高能γ能譜的康普頓坪上，由于坪上技術(shù)的統(tǒng)計(jì)漲落，從而大大影響了低能量γ射線全能峰面積測(cè)量的精度，或有可能根本尋找不到低能γ射線的全能峰。放射性測(cè)量的本底水平直接影響其探測(cè)下限，宇宙射線及環(huán)境中的天然放射性核素均會(huì)增加全譜的積分本底水平。

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中的問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中的問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種寬能反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀，以克服現(xiàn)有相關(guān)技術(shù)所存在的上述技術(shù)問(wèn)題。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種寬能反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀，包括屏蔽室，所述屏蔽室內(nèi)的底側(cè)中部設(shè)置有環(huán)形探測(cè)器，所述環(huán)形探測(cè)器內(nèi)部分別設(shè)置有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔內(nèi)的相對(duì)應(yīng)側(cè)邊均設(shè)置有第二光電倍增管，所述第一空腔的底側(cè)中部設(shè)置有主探測(cè)器，且所述主探測(cè)器的頂端固定于所述第二空腔的底部，所述主探測(cè)器的頂端設(shè)置有置物臺(tái)，且所述置物臺(tái)的底部固定于所述第二空腔的底部，所述屏蔽室外壁設(shè)置有銅內(nèi)襯，所述銅內(nèi)襯外壁設(shè)置有內(nèi)鉛環(huán)，所述內(nèi)鉛環(huán)外壁設(shè)置有鎘吸收片，所述鎘吸收片外壁設(shè)置有塑料閃爍探測(cè)器，所述塑料閃爍探測(cè)器外壁設(shè)置有外屏蔽層，所述外屏蔽層的一側(cè)底部設(shè)置有放大器，所述外屏蔽層的頂側(cè)中部設(shè)置有與所述環(huán)形探測(cè)器相適配的凹槽一，且所述凹槽一貫穿所述塑料閃爍探測(cè)器、所述鎘吸收片、所述內(nèi)鉛環(huán)以及所述銅內(nèi)襯，所述凹槽一的頂部設(shè)置有與所述外屏蔽層相適配的合蓋，所述合蓋的底側(cè)中部設(shè)置有與所述環(huán)形探測(cè)器相適配的凹槽二，所述凹槽二的頂部設(shè)置有塞子探測(cè)器，且所述塞子探測(cè)器的頂部固定于所述合蓋的相對(duì)應(yīng)側(cè)邊，所述塞子探測(cè)器的一側(cè)設(shè)置有第一光電倍增管，所述塞子探測(cè)器的頂部一側(cè)設(shè)置有電子學(xué)反符合線路，所述電子學(xué)反符合線路的頂端設(shè)置有分析器，且所述分析器的底端固定于所述合蓋的頂部一側(cè)，所述分析器的一側(cè)且與所述電子學(xué)反符合線路成垂直的側(cè)邊設(shè)置有譜分析儀，且所述譜分析儀的底部固定于所述合蓋的頂部。

進(jìn)一步的，所述第二空腔的底部設(shè)置于所述第一空腔的頂部。

進(jìn)一步的，所述第一光電倍增管的一側(cè)通過(guò)螺栓與所述塞子探測(cè)器的相對(duì)應(yīng)側(cè)邊固定連接。

進(jìn)一步的，所述主探測(cè)器、所述環(huán)形探測(cè)器以及所述塞子探測(cè)器共同形成了反符合屏蔽探測(cè)器。

進(jìn)一步的，所述分析器以及所述譜分析儀的底部均通過(guò)固定栓與所述合蓋的頂部固定連接。

進(jìn)一步的，所述塞子探測(cè)器的頂部與所述環(huán)形探測(cè)器的頂部均設(shè)置有遮光膜層。