[實用新型]一種金剛線硅片預制絨裝置有效
| 申請號: | 201820511988.1 | 申請日: | 2018-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN207938621U | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發明(設計)人: | 黃鈞林;范維濤;龔小文;蘇楊楊;孫晨財;張鑫;彭美平 | 申請(專利權)人: | 維科誠(蘇州)光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 汪青;周敏 |
| 地址: | 215121 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金剛線 硅片 上滾輪 下滾輪 傳輸 并排設置 傳輸方向 傳輸系統 鏈式滾輪 去除 預制 本實用新型 硅片表面 水洗二槽 水洗一槽 依次排列 烘干槽 破損率 上表面 酸洗槽 制絨槽 富集 減小 運輸 | ||
本實用新型涉及一種金剛線硅片預制絨裝置,包括依次排列的制絨槽、水洗一槽、酸洗槽、水洗二槽、烘干槽、用于運輸金剛線硅片的鏈式滾輪傳輸系統,鏈式滾輪傳輸系統包括位于金剛線硅片上方的第一傳輸條、位于金剛線硅片下方的第二傳輸條,第一傳輸條包括沿著金剛線硅片的傳輸方向并排設置的多個上滾輪,第二傳輸條包括沿著金剛線硅片的傳輸方向并排設置的多個下滾輪。上滾輪與下滾輪的設置,減小對金剛線硅片的壓力,降低重量,減少金剛線硅片的破損率;同時上滾輪與金剛線硅片的接觸面積小,避免去除金剛線硅片上表面的氣泡從而減少反應,下滾輪與金剛線硅片的接觸面積較大,可以去除富集在硅片表面的氣泡,從而促進反應。
技術領域
本實用新型涉及一種金剛線硅片預制絨裝置。
背景技術
在晶硅太陽能電池制造中,制絨工藝是對晶體硅片表面進行刻蝕,形成表面絨面結構,降低硅片表面的反射率,使得太陽光在硅片表面進行多次發射,進而增加對太陽光的吸收。因此在制絨工藝中的傳輸帶也尤為重要。
現有技術的一種鏈式晶硅制絨設備(CN 205911321 U),包括沿所述晶硅的操作方向依次間隔排列的制絨槽、清洗槽、后處理槽、烘干槽以及用于傳動花籃的鏈式傳動系統,所述花籃用于裝載硅片,所述的鏈式傳動系統包括所述制絨槽、清洗槽、后處理槽和烘干槽中每個槽體均設置的獨立的傳動裝置。現有技術的鏈式傳輸設備,硅片傳輸中硅片的破損率較高,同時設備運行不穩定。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是提供一種能夠促進金剛線硅片下表面的反應、減少金剛線硅片壓損的鏈式滾輪傳輸系統的金剛線硅片預制絨裝置。
為了解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案是:
一種金剛線硅片預制絨裝置,包括依次排列的制絨槽、水洗一槽、酸洗槽、水洗二槽、烘干槽,所述的金剛線硅片預制絨裝置還包括設置在所述的金剛線硅片預制絨裝置上用于運輸所述的金剛線硅片的鏈式滾輪傳輸系統,所述的鏈式滾輪傳輸系統包括位于所述的金剛線硅片上方的第一傳輸條、位于所述的金剛線硅片下方的第二傳輸條,所述的第一傳輸條包括沿著所述的金剛線硅片的傳輸方向并排設置的多個上滾輪,所述的第二傳輸條包括沿著所述的金剛線硅片的傳輸方向并排設置的多個下滾輪。
具體地,所述的多個上滾輪中相鄰的兩個上滾輪之間通過齒輪連接,所述的多個下滾輪中相鄰的兩個下滾輪之間通過齒輪相連接。
優選地,所述的鏈式滾輪傳輸系統依次穿過所述的制絨槽、所述的水洗一槽、所述的酸洗槽、所述的水洗二槽以及所述的烘干槽。
優選地,所述的上滾輪的重量小于所述的下滾輪的重量。
優選地,所述的上滾輪與所述的金剛線硅片的接觸面積小于所述的下滾輪與所述的金剛線硅片的接觸面積。
進一步優選地,所述的上滾輪的表面形成有環狀凸起,所述的下滾輪的表面為平面。
更進一步優選地,所述的環狀凸起所在部的所述的上滾輪的外徑等于所述的下滾輪的外徑。
具體地,所述的上滾輪為空心輪,所述的下滾輪為實心輪。
具體地,所述的金剛線硅片預制絨裝置還包括能夠驅動所述的鏈式滾輪傳輸系統工作的驅動電機。
具體地,所述的鏈式滾輪傳輸系統包括沿著所述的金剛線硅片預制絨裝置的寬度方向并排設置的多個傳輸單元,每個所述的傳輸單元分別由一條所述的第一傳輸條和一條所述的第二傳輸條構成。
本實用新型的范圍,并不限于上述技術特征的特定組合而成的技術方案,同時也應涵蓋由上述技術特征或其等同特征進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術特征進行互相替換而形成的技術方案等。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





