[實用新型]一種帶有GaAs面摻雜平滑層的GaAs基PHEMT外延材料結構有效

申請號：	201820500122.0	申請日：	2018-04-10
公開（公告）號：	CN208738256U	公開（公告）日：	2019-04-12
發明（設計）人：	蔣建	申請（專利權）人：	新磊半導體科技（蘇州）有限公司
主分類號：	H01L29/778	分類號：	H01L29/778;H01L29/06;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司：	北京思海天達知識產權代理有限公司 11203	代理人：	沈波
地址：	215151 江蘇省蘇州市高新區***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	平滑層摻雜層隔離層外延材料結構重摻雜帽層上勢壘層下勢壘層半絕緣溝道層面摻雜上空間上平面下空間下平面阻斷層襯底本實用新型腐蝕材料結構擊穿電壓摻雜的勢壘層生長摻雜
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【權利要求書】：

1.一種帶有GaAs面摻雜平滑層的GaAs基PHEMT外延材料結構，其特征在于：該材料結構包括GaAs半絕緣襯底(1)上依次生長GaAs緩沖層(2)、AlGaAs下勢壘層(3)、第一GaAs平滑層(4)，下平面摻雜層(5)、第二GaAs平滑層(6)、AlGaAs下空間隔離層(7)、InGaAs溝道層(8)、AlGaAs上空間隔離層(9)、第三GaAs平滑層(10)、上平面摻雜層(11)、第四GaAs平滑層(12)、AlGaAs上勢壘層(13)、AlAs腐蝕阻斷層(14)和GaAs重摻雜帽層(15)；

在GaAs半絕緣襯底(1)上依次生長GaAs緩沖層(2)、AlGaAs下勢壘層(3)、第一GaAs平滑層(4)，下平面摻雜層(5)、第二GaAs平滑層(6)、AlGaAs下空間隔離層(7)、InGaAs溝道層(8)、AlGaAs上空間隔離層(9)、第三GaAs平滑層(10)、上平面摻雜層(11)、第四GaAs平滑層(12)、AlGaAs上勢壘層(13)、AlAs腐蝕阻斷層(14)、GaAs重摻雜帽層(15)。

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