[實用新型]功率半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820499686.7
• 申請日: 2018-04-10
• 公開（公告）號: CN208062060U
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 約瑟夫·葉季納科;吳小利
• 申請（專利權(quán)）人: 半導體元件工業(yè)有限責任公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 王美石;姚開麗

1.一種功率半導體器件，包括：

具有有源區(qū)和終止區(qū)的半導體區(qū)；

所述半導體區(qū)中限定的第一溝槽屏蔽電極，所述第一溝槽屏蔽電極沿著第一縱向軸線延伸，所述第一溝槽屏蔽電極具有設(shè)置在所述有源區(qū)中的第一部分以及設(shè)置在所述終止區(qū)中的第二部分；

所述半導體區(qū)中限定的第二溝槽屏蔽電極，所述第二溝槽屏蔽電極沿著所述第一縱向軸線與所述第一溝槽屏蔽電極平行延伸，所述第二溝槽屏蔽電極具有設(shè)置在所述有源區(qū)中的第一部分以及設(shè)置在所述終止區(qū)中的第二部分，所述第一溝槽屏蔽電極的溝槽和所述第二溝槽屏蔽電極的溝槽在其間限定所述半導體區(qū)的臺面；以及

設(shè)置在所述終止區(qū)中的注入物富集區(qū)，所述注入物富集區(qū)沿著與所述第一縱向軸線正交的第二縱向軸線延伸，

所述注入物富集區(qū)與所述第一溝槽屏蔽電極和所述第二溝槽屏蔽電極相交，并且具有設(shè)置在所述半導體區(qū)的所述臺面中的一部分，所述部分從所述第一溝槽屏蔽電極的所述溝槽延伸到所述第二溝槽屏蔽電極的所述溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導體器件，其中

所述半導體區(qū)為第一導電類型，所述半導體區(qū)具有從所述半導體區(qū)的表面向所述半導體區(qū)的一定深度內(nèi)增加的摻雜濃度；

所述注入物富集區(qū)為所述第一導電類型，并且具有大于所述半導體區(qū)的表面摻雜濃度的表面摻雜濃度；以及

所述有源區(qū)包括與所述第一導電類型相反的第二導電類型的阱區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導體器件，其中所述注入物富集區(qū)：

沿著所述第一縱向軸線與所述有源區(qū)隔開第一距離；以及

沿著所述第一縱向軸線與所述第一溝槽屏蔽電極和所述第二屏蔽電極的相應(yīng)端部隔開第二距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導體器件，其中所述注入物富集區(qū)是第一注入物富集區(qū)，所述功率半導體器件還包括：

設(shè)置在所述終止區(qū)中的所述第一注入物富集區(qū)與所述有源區(qū)之間的第二注入物富集區(qū)，所述第二注入物富集區(qū)沿著所述第二縱向軸線與所述第一注入物富集區(qū)平行延伸，所述第二注入物富集區(qū)與所述第一溝槽屏蔽電極和所述第二溝槽屏蔽電極相交，所述第二注入物富集區(qū)具有設(shè)置在所述半導體區(qū)的所述臺面中的一部分，所述第二注入物富集區(qū)的所述部分從所述第一溝槽屏蔽電極的所述溝槽延伸到所述第二溝槽屏蔽電極的所述溝槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率半導體器件，其中：

所述第一注入物富集區(qū)具有沿著所述第一縱向軸線的第一寬度；以及

所述第二注入物富集區(qū)具有沿著所述第一縱向軸線的第二寬度，

所述第二寬度不同于所述第一寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率半導體器件，還包括：

設(shè)置在所述終止區(qū)中的所述第二注入物富集區(qū)與所述有源區(qū)之間的第三注入物富集區(qū)，所述第三注入物富集區(qū)沿著所述第二縱向軸線與所述第一注入物富集區(qū)和所述第二注入物富集區(qū)平行延伸，所述第三注入物富集區(qū)與所述第一溝槽屏蔽電極和所述第二溝槽屏蔽電極相交，所述第三注入物富集區(qū)具有設(shè)置在所述半導體區(qū)的所述臺面中的一部分，所述第三注入物富集區(qū)的所述部分從所述第一溝槽屏蔽電極的所述溝槽延伸到所述第二溝槽屏蔽電極的所述溝槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導體器件，其中：

所述第一注入物富集區(qū)具有沿著所述第一縱向軸線的第一寬度；

所述第二注入物富集區(qū)具有沿著所述第一縱向軸線的第二寬度；以及

所述第三注入物富集區(qū)具有沿著所述第一縱向軸線的第三寬度，

所述第三寬度小于所述第二寬度，并且所述第二寬度小于所述第一寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導體器件，其中：

所述注入物富集區(qū)具有離所述半導體區(qū)的表面的第一深度；以及

所述第一溝槽屏蔽電極和所述第二溝槽屏蔽電極具有離所述半導體區(qū)的所述表面的第二深度，

所述第一深度小于所述第二深度。