[實用新型]高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構

有效

• 申請號: 201820497285.8
• 申請日: 2018-04-09
• 公開（公告）號: CN208077964U
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 王艷;鮑忠和;徐文藝
• 申請（專利權）人: 黃山寶霓二維新材科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L25/16;H01L21/60
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 韓鳳

1.高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，包括：

驅動芯片(17)上表面的電路輸出端與印刷電路板(19)上表面的對應焊盤引線鍵合，驅動芯片(17)下表面由石墨烯填充增強導熱銀膠(18)與印刷電路板(19)互連；

還包括直接敷銅基板(12)，其上表面具有第一銅層(13)，其下表面具有第二銅層(11)，在直接敷銅基板(12)第一銅層(13)上對應快速恢復二極管芯片(16)陰極的位置制作有第一石墨烯薄膜(30)，在直接敷銅基板(12)第一銅層(13)上對應MOSFET芯片(15)漏極的位置制作有第二石墨烯薄膜(31)；所述第一銅層(13)與快速恢復二極管芯片(16)的陰極、MOSFET芯片(15)的漏極通過焊料層(14)互連，所述焊料層(14)將第一石墨烯薄膜(30)、第二石墨烯薄膜(31)包裹在內；

由外殼(29)將所述驅動芯片(17)、印刷電路板(19)、直接敷銅基板(12)、MOSFET芯片(15)、快速恢復二極管芯片(16)及所有鍵合引線封裝起來。

2.根據權利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，所述外殼(29)內部由石墨烯填充增強環氧樹脂(26)進行灌封。

3.根據權利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，還包括引線框架(25)，由焊料層(14)與直接敷銅基板(12)上表面第一銅層(13)以及印刷電路板(19)上表面輸出引出端(28)互連。

4.根據權利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，所述快速恢復二極管芯片(16)上表面陽極與引線框架(25)的對應位置用第一鋁線組(24)鍵合，快速恢復二極管芯片(16)下表面陰極由焊料層(14)與直接敷銅基板(12)的上表面第一銅層(13)圖形化互連。

5.根據權利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，所述MOSFET芯片(15)上表面源極與快速恢復二極管芯片(16)的陽極用第二鋁線組(23)鍵合，MOSFET芯片(15)柵極與印刷電路板(19)上表面的柵極驅動引出端(20)用第三鋁線組(22)鍵合，MOSFET芯片(15)下表面漏極由焊料層(14)與直接敷銅基板(12)的上表面第一銅層(13)圖形化互連。

6.根據權利要求3所述的高功率密度塑封式IPM模塊的封裝結構，其特征在于，所述引線框架(25)局部伸出外殼(29)。