[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體激光器芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820494219.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-04-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN208272357U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 顏建;胡雙元;吳文俊;黃勇;米卡·瑞桑 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/323 | 分類號(hào)： | H01S5/323;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人： | 馬永芬 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延結(jié)構(gòu) 太陽(yáng)能電池 雙面拋光 襯底 激光器 半導(dǎo)體激光器芯片 金屬熱沉 金線 半導(dǎo)體激光器 本實(shí)用新型 電極連接 電氣連接 集成度 正反面 熱沉 背面 供電 生長(zhǎng) | ||
1.一種半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，包括：雙面拋光襯底(10)、激光器外延結(jié)構(gòu)(20)以及太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)(30)；
其中，
所述激光器外延結(jié)構(gòu)(20)，設(shè)置于所述雙面拋光襯底(10)的正面；所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)(30)，設(shè)置于所述雙面拋光襯底的背面；
金屬熱沉(40)，設(shè)置于所述激光器外延結(jié)構(gòu)(20)遠(yuǎn)離所述雙面拋光襯底(10)的一側(cè)，與所述激光器外延結(jié)構(gòu)(20)的電極(21)連接；
所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)(30)的P面電極(31)通過(guò)金線(50)與所述金屬熱沉(40)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，所述雙面拋光襯底(10)為N型摻雜的GaAs或InP，厚度為300μm至400μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，所述雙面拋光襯底(10)的摻雜濃度大于1E19cm3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)(30)和所述激光器外延結(jié)構(gòu)(20)的外延層的晶格常數(shù)與所述雙面拋光襯底(10)的晶格常數(shù)一致。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，在所述雙面拋光襯底(10)為GaAs襯底時(shí)，所述激光器外延結(jié)構(gòu)(20)為AlGaAs結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)(30)為GaAs子電池和GaInP子電池組成的多結(jié)太陽(yáng)能電池。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，在所述激光器外延結(jié)構(gòu)(20)表面形成脊形波導(dǎo)區(qū)(22)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，在所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)(30)上層形成減反射膜(32)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一所述的半導(dǎo)體激光器芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光器芯片與所述太陽(yáng)能電池外延結(jié)構(gòu)(30)的尺寸一致。
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