[實用新型]一種方形復合式殼型電極半導體探測器

有效

• 申請號: 201820477209.0
• 申請日: 2018-04-04
• 公開（公告）號: CN208077991U
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 李正;劉曼文
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/08;H01L31/18
• 代理公司: 長沙新裕知識產權代理有限公司 43210
• 代理人: 周躍仁

1.一種方形復合式殼型電極半導體探測器，其特征在于，包括正面溝槽電極(2)、反面溝槽電極(5)和中央柱狀電極(3)，其中正面溝槽電極(2)、反面溝槽電極(5)和中央柱狀電極(3)由半導體基體(1)通過刻蝕、擴散摻雜的方法制備形成，正面溝槽電極(2)和反面溝槽電極(5)環繞于中央柱狀電極(3)之外，其中，正面溝槽電極(2)和反面溝槽電極(5)為矩形中空電極；正面溝槽電極(2)刻蝕成結構相同，且結構上互為互補的兩半，在正面溝槽電極(2)間沒有刻蝕的部分形成斜紋狀半導體基體(4)，且斜紋狀半導體基體(4)寬度小于10μm；正面溝槽電極(2)和中央柱狀電極(3)上覆蓋有電極接觸層，正面未覆蓋電極接觸層的其他半導體基體(1)表面覆蓋二氧化硅絕緣層，底面設置有二氧化硅襯底層。

2.根據權利要求1所述的方形復合式殼型電極半導體探測器，其特征在于，所述正面溝槽電極(2)的厚度小于探測器整體高度的十分之一。

3.根據權利要求1所述的方形復合式殼型電極半導體探測器，其特征在于，所述的方形復合式殼型電極半導體探測器能通過共用正面溝槽電極(2)的電極壁組成M*N陣列的探測器陣列。

4.根據權利要求1所述的方形復合式殼型電極半導體探測器，其特征在于，所述半導體基體(1)材質采用硅、氧化硅、Ge、HgI₂、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI₂或AlSb中的一種或多種的組合。