[實(shí)用新型]一種溝渠式肖特基二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820473005.X
• 申請日: 2018-04-04
• 公開（公告）號: CN207977319U
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王錳
• 申請（專利權(quán)）人: 上海芯石半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實(shí)用新型公開了一種溝渠式肖特基二極管，包括基板、磊晶層、摻雜層、金屬層、半導(dǎo)體層和溝槽，基板底部設(shè)有第一電極，基板頂部設(shè)有磊晶層，磊晶層頂部設(shè)有摻雜層，摻雜層頂部設(shè)有金屬層，摻雜層和金屬層之間間隔設(shè)有若干溝槽，溝槽底部設(shè)有氧化層，溝槽內(nèi)部設(shè)有半導(dǎo)體層，金屬層頂部設(shè)有第二電極，該種溝渠式肖特基二極管，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)完整緊湊，通過若干個(gè)溝槽的設(shè)置，在溝槽填入具有高功函數(shù)的金屬材料，從而提高肖特基二極管的順向偏壓特性，可承受高逆向偏壓，當(dāng)肖特基二極管處于正向偏壓時(shí)，通過摻雜層的設(shè)置，從而使得肖特基二極管在加載較小的正向電壓時(shí)就能獲得較好的電流信號值的效果，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)合理，適合推廣使用。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種二極管，尤其是涉及一種溝渠式肖特基二極管。

背景技術(shù)

肖特基二極管（SBD）是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱，是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的半導(dǎo)體器件。肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，它不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上需注意其熱失控的隱憂，肖特基二極體實(shí)際使用時(shí)的反向偏壓都會比其額定值小很多。結(jié)合有肖特基特性的元件，通常具有可高速切換、開關(guān)快速的優(yōu)點(diǎn)。然而，實(shí)務(wù)上發(fā)現(xiàn)，一些肖特基二極管當(dāng)制作為可承受較高的逆向偏壓的元件時(shí)(也就是具有高崩潰電壓，其順向偏壓特性會變差，換句話說，要產(chǎn)生相同電流時(shí)所需的順向偏壓必須加大，因此，為了解決上述問題，設(shè)計(jì)一種溝渠式肖特基二極管。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有肖特基二極管作為可承受較高的逆向偏壓的元件時(shí)，肖特基二極管順向偏壓特性會較差的缺陷，提供一種溝渠式肖特基二極管，從而解決上述問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種溝渠式肖特基二極管，包括基板、磊晶層、摻雜層、金屬層、半導(dǎo)體層和溝槽，所述基板底部設(shè)有第一電極，所述基板頂部設(shè)有磊晶層，所述磊晶層頂部設(shè)有摻雜層，所述摻雜層頂部設(shè)有金屬層，所述摻雜層和金屬層之間間隔設(shè)有若干溝槽，所述溝槽底部設(shè)有氧化層，所述溝槽內(nèi)部設(shè)有半導(dǎo)體層，所述金屬層頂部設(shè)有第二電極。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述金屬層為金屬硅化物。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述磊晶層為n型多晶硅。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述基板為n型硅基板。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述金屬硅化物為鈷的硅化物。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述基板的載子濃度大于磊晶層的載子濃度。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述第二電極和金屬層的材料相同。

與目前技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：該種溝渠式肖特基二極管，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)完整緊湊，通過若干個(gè)溝槽的設(shè)置，在溝槽填入具有高功函數(shù)的金屬材料，從而提高肖特基二極管的順向偏壓特性，可承受高逆向偏壓，當(dāng)肖特基二極管處于正向偏壓時(shí)，通過摻雜層的設(shè)置，從而使得肖特基二極管在加載較小的正向電壓時(shí)就能獲得較好的電流信號值的效果，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)合理，適合推廣使用。

附圖說明

附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；