[實用新型]一種微型發光二極管的巨量轉移裝置

有效

• 申請號: 201820458865.6
• 申請日: 2018-04-03
• 公開（公告）號: CN208000901U
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 陳祖輝;田洪濤;趙曉剛;林金堂;葉蕓;胡海龍;陳耿旭;黃屏;林碧新;吳莉;力尚猛
• 申請（專利權）人: 泉州市盛維電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種微型發光二極管的巨量轉移裝置，涉及發光顯示領域，包括微型發光二極管陣列凹槽板（1）和微型發光二極管元件（2），所述微型發光二極管元件（2）被放置于所述微型發光二極管陣列凹槽板（1）的微型發光二極管凹槽（11）中，在所述微型發光二極管陣列凹槽板（1）下方設置有水平吹風裝置（3）和豎直吹風及震蕩裝置（4），在所述微型發光二極管陣列凹槽板（1）上方設置有檢測裝置（5），所述微型發光二極管陣列凹槽板（1）包括基板層（100）、驅動電路層（101）和保護層（102）。本實用新型的一種微型發光二極管的巨量轉移裝置，不使用轉移模具，工藝簡單，良率高，轉移精度高，成本低。

技術領域

本實用新型涉及發光顯示領域，尤其涉及一種微型發光二極管的巨量轉移裝置。

背景技術

微型發光二極管（Micro LED）是將傳統的LED結構進行微小化和矩陣化，并采用CMOS集成電路工藝制成驅動電路，來實現每一個像素點定址控制和單獨驅動的顯示技術。由于微型發光二極管的亮度、壽命、對比度、反應時間、能耗、可視角度和分辨率等各種指標都強于LCD和OLED技術，加上其屬于自發光、結構簡單、體積小和節能的優點，已經被許多產家視為下一代顯示技術而開始積極布局。微型發光二極管在產業化過程中面臨的一個核心技術難題是微型發光二極管元器件的巨量轉移（Mass Transfer）技術。由于巨量轉移技術要求非常高的效率、良品率和轉移精度，巨量轉移技術成為了微型發光二極管研發過程的最大挑戰，阻礙了微型發光二極管技術的推廣與使用。

因此，如何制作（設計）出一整套簡單實用、經濟性好、效率高、良品率高和轉移精度高的巨量轉移裝置是本實用新型要解決的問題。

實用新型內容

有鑒于現有技術的上述缺陷，本實用新型所要解決的技術問題是制作出一種簡單實用、經濟性好、效率高、良品率高和轉移精度高的巨量轉移裝置及方法。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種微型發光二極管的巨量轉移裝置，包括微型發光二極管陣列凹槽板和微型發光二極管元件，所述微型發光二極管元件被放置于所述微型發光二極管陣列凹槽板的微型發光二極管凹槽中，在所述微型發光二極管陣列凹槽板下方設置有水平吹風裝置和豎直吹風及震蕩裝置，在所述微型發光二極管陣列凹槽板上方設置有檢測裝置，所述微型發光二極管陣列凹槽板包括基板層、驅動電路層和保護層。

進一步地，所述微型發光二極管元件包括n型GaN層和p型GaN層，所述n型GaN層和所述p型GaN層被設置在同一層，所述微型發光二極管元件為非對稱結構。

進一步地，在所述基板層上制作微型發光二極管的驅動電路層。

進一步地，在所述驅動電路層上制作所述保護層，所述保護層為二氧化硅。

進一步地，所述保護層的厚度為10納米至500微米。

進一步地，在所述保護層上通過蝕刻方法制作微型發光二極管凹槽，用于放置微型發光二極管元件。

進一步地，所述微型發光二極管凹槽預設有電極，用于與所述微型發光二極管元件的電極連接。

進一步地，在所述微型發光二極管凹槽預設的電極包括p型GaN層連接電極和n型GaN層連接電極，所述p型GaN層連接電極與p型GaN層連接，所述n型GaN層連接電極與n型GaN層連接。

本實用新型還提供了一種微型發光二極管的巨量轉移裝置的使用方法，包括以下步驟：

S1，在基板上標示微型發光二極管形狀，形成微型發光二極管陣列板，使得微型發光二極管元件的P極和N極在同一側，微型發光二極管元件為非對稱結構；

S2，在微型發光二極管陣列板上方涂覆導電涂層，形成導電涂層板，這種導電涂層在平面方向上不導電，只能在Z軸方向上導電，如ACP膠，烘干所述導電涂層板，切割得到微型發光二極管元件；