[實用新型]一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片

有效

• 申請號: 201820452036.7
• 申請日: 2018-03-31
• 公開（公告）號: CN208014722U
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 李國強;張云鵬;張子辰
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/12
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍;馮振寧

1.一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，從下至上依次包括Si（100）襯底（1）、Au/Sn鍵合層（2）、 TiW保護層（3）、 Ag反射鏡層（4）、 p型摻雜GaN層（5）、InGaN/GaN量子阱層（6）、 n型摻雜GaN層（7）和分列在n-GaN層（7）上表面兩側的TaN/Al/W n電極層（8）；其中，所述Ag反射鏡（4）依次包括Ni層（401）、Ag-contact層（402）、Ag-bulk層（403）和 X應力緩沖層（404）；所述Ni層（401）沉積在p型摻雜GaN層（5）上。

2.根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述Si襯底以(111) 面為外延面。

3.根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述n型摻雜GaN層的厚度為1~5um，摻雜濃度為（1~10）×10¹⁸cm^-3；所述InGaN/GaN量子阱層為1~18個周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為1~10nm, GaN壘層的厚度為1~18nm; 所述p型摻雜GaN層的厚度為100~600nm，摻雜濃度為（3~9）×10¹⁷cm^-3。

4.根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述Ag-contact層的厚度為1~10nm。

5.根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述Ni層的厚度為2~30?。

6.根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述Ag-bulk層的厚度為200~500nm；所述X應力緩沖層的厚度為10~50nm。

7.根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述X應力緩沖層的材料為Ni、Al、Mg、Cu、AgNi、AgAl、AgMg和AgCu中的一種以上。

8.根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述TiW保護層的厚度為500~1500nm。

9.根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述Au/Sn鍵合層中Sn厚度為1~3μm，Au的厚度為10~500 nm。

10.根根據權利要求1所述的一種兩步法制備Ag反射鏡的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述TaN/Al/W n電極層中TaN厚度為10~50 nm，Al厚度為1~3um，W厚度為300~600 nm。