[實用新型]一種高損傷閾值的反射器件有效

申請號：	201820446138.8	申請日：	2018-03-30
公開（公告）號：	CN207937632U	公開（公告）日：	2018-10-02
發明（設計）人：	吳紹龍;秦琳玲	申請（專利權）人：	蘇州大學
主分類號：	G02B1/10	分類號：	G02B1/10;G02B5/12
代理公司：	無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260	代理人：	張歡勇
地址：	215137 ***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	波長高低折射率反射器件基底薄膜低折射率薄膜高折射率薄膜損傷光學技術領域本實用新型熱累積效應高反射膜硅微米線基底表面界面缺陷微米量級光吸收介孔晶硅傳導
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【權利要求書】：

1.一種高損傷閾值的反射器件，以晶硅為基底，所述基底其中一個表面上布設有間距為微米量級的硅微米線陣列，基底的另一表面上設置若干組光學厚度為1/4波長的高低折射率薄膜對，以基底表面為內側，所述的高低折射率薄膜對自內側向外側依次為光學厚度為1/4波長高折射率薄膜、光學厚度為1/4波長低折射率薄膜；最外側的高低折射率薄膜對外側依次為光學厚度為1/4波長的高折射率薄膜和光學厚度為1/2波長的低折射率薄膜。

2.根據權利要求1所述的高損傷閾值的反射器件，所述的晶硅包括雙面拋光的重摻雜晶片。

3.根據權利要求1所述的高損傷閾值的反射器件，所述的晶硅的電阻率＜0.01Ω·cm。

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