[實用新型]排氣裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820443437.6
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN207938583U
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發(fā)明（設計）人: 曹興龍;闞保國;劉家樺;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種排氣裝置。所述排氣裝置，包括由內(nèi)層、外層和中間夾層構成的雙層罩體以及抽氣組件，所述罩體用于容納反應腔室；所述內(nèi)層上設置有多個排氣孔，所述外層上安裝有至少一排氣口；所述抽氣組件，連接所述排氣口，用于使所述反應腔室中的殘留氣體依次經(jīng)所述排氣孔、所述中間夾層、所述排氣口后抽出。本實用新型避免了反應腔室內(nèi)殘留氣體的外泄，防止了對半導體制造過程中的無塵室環(huán)境造成影響，同時確保了作業(yè)人員的安全。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種排氣裝置。

背景技術

隨著集成電路制造技術的飛速發(fā)展，集成電路的特征尺寸也在不斷的減小，在一片半導體晶圓上，半導體器件的數(shù)量不斷增加。為了滿足半導體器件數(shù)量增多的要求，在一片半導體晶圓上往往包括多層結構的半導體器件，而相鄰層的半導體器件通過金屬互連結構實現(xiàn)電連接，從而在特定面積的晶圓上增加半導體器件數(shù)量，提高半導體器件的集成度。然而，隨著集成電路結構的日益復雜，對于晶圓的要求也不斷提高。

在半導體集成電路的制造過程中，由于工藝步驟的需要，例如刻蝕過程，經(jīng)常會使用許多有毒有害的氣體，例如Cl₂、HBr、SiCl₄等。為了確保半導體制造流程正常、穩(wěn)定的進行，需要周期性的對半導體制造設備進行保養(yǎng)。在周期性維護(Periodical Maintain，PM)的過程中，需要對反應腔室進行清潔。此時，有毒有害物質(zhì)會以氣態(tài)的形式從所述反應腔室中揮發(fā)出來。這些有毒有害氣體味道比較重，其揮發(fā)出來后會對無塵室環(huán)境造成影響，更為嚴重的是，會對作業(yè)人員的身體健康造成危害。

因此，如何避免周期性維護過程中反應腔室內(nèi)的有毒有害殘氣外泄，是目前亟待解決的技術問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型提供一種排氣裝置，用以避免周期性維護過程中反應腔室內(nèi)的殘氣易外泄的問題，防止對半導體制造過程中的無塵室環(huán)境造成影響，同時確保作業(yè)人員的安全。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種排氣裝置，包括由內(nèi)層、外層和中間夾層構成的雙層罩體以及抽氣組件，所述罩體用于容納反應腔室；所述內(nèi)層上設置有多個排氣孔，所述外層上安裝有至少一排氣口；所述抽氣組件，連接所述排氣口，用于使所述反應腔室中的殘留氣體依次經(jīng)所述排氣孔、所述中間夾層、所述排氣口后抽出。

優(yōu)選的，多個所述排氣孔關于所述罩體的軸向?qū)ΨQ分布。

優(yōu)選的，多個所述排氣孔在所述內(nèi)層上呈陣列排布。

優(yōu)選的，所述排氣口的內(nèi)徑大于所述排氣孔的內(nèi)徑。

優(yōu)選的，至少一排氣口包括多個排氣口。

優(yōu)選的，多個排氣口包括兩個排氣口，且兩個所述排氣口之間的夾角大于預設角度。

優(yōu)選的，所述預設角度為130°。

優(yōu)選的，所述抽氣組件包括抽氣泵和管道；所述管道的一端與所述抽氣泵連通、另一端與所述排氣口連通，所述抽氣泵用于將所述反應腔室內(nèi)的殘留氣體依次經(jīng)所述排氣孔、所述中間夾層、所述排氣口、所述管道后抽出。

優(yōu)選的，還包括控制器；所述控制器，連接所述抽氣泵，用于控制所述抽氣泵的抽氣速率。

本實用新型提供的排氣裝置，通過設置由內(nèi)層、外層和中間夾層構成的雙層罩體，在對半導體設備進行周期性維護的過程中，以所述罩體罩住反應腔室，抽氣組件對所述罩體內(nèi)部抽氣，從而使得所述罩體內(nèi)部形成一穩(wěn)定的負壓環(huán)境，所述反應腔室內(nèi)的殘留氣體依次經(jīng)內(nèi)層上的排氣孔、中間夾層、外層上的排氣口后排出至外界，避免了反應腔室內(nèi)殘留氣體的外泄，防止了對半導體制造過程中的無塵室環(huán)境造成影響，同時確保了作業(yè)人員的安全。

附圖說明

附圖1是本實用新型具體實施方式中排氣裝置的結構框圖；