[實用新型]一種溫度校準的裝置有效
| 申請號: | 201820442162.4 | 申請日: | 2018-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN207964129U | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 任玲玲;李碩;繆向水;童浩;王愿兵 | 申請(專利權)人: | 中國計量科學研究院;武漢嘉儀通科技有限公司 |
| 主分類號: | G01K15/00 | 分類號: | G01K15/00 |
| 代理公司: | 北京坦路來專利代理有限公司 11652 | 代理人: | 汪送來 |
| 地址: | 100013 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 樣品臺 塊狀介質 溫度校準 紅外加熱 石英 托管 本實用新型 測溫端 吸收率 穿過 導熱系數 紅外輻射 校準 測量 支撐 加工 | ||
本實用新型實施例涉及一種溫度校準的裝置,包括:樣品臺,樣品臺處于真空紅外加熱條件下;石英托管,連接并支撐樣品臺,處于真空紅外加熱條件下;K型熱電偶,穿過所述石英托管,其測溫端置于所述樣品臺之內;塊狀介質,位于樣品臺之內,塊狀介質加工有孔;S型熱電偶,穿過石英托管,其測溫端插入所述塊狀介質的孔之內,根據所述S型熱電偶測得的溫度,對所述K型熱電偶所測量到的溫度進行校準;其中,所述塊狀介質的紅外輻射吸收率不低于0.90,導熱系數不低于60~70W/(m·K)。本實用新型實施例提供的溫度校準的裝置能夠針對真空紅外加熱的特殊環境,對K偶進行溫度校準。
技術領域
本實用新型涉及熱電偶檢定校準領域,尤其涉及一種溫度校準的裝置。
背景技術
光功率熱分析儀主要用途為測量薄膜材料的相變溫度和熱膨脹系數等參數。加熱方式為真空紅外加熱。
控溫熱電偶為非鎧裝鎳鉻-鎳硅熱電偶,即K型熱電偶。針對K型熱電偶的溫度校準方法,一般采用JJG 351-1996《工作用廉金屬熱電偶檢定規程》,基本檢定方法包括:300℃以下溫度點的檢定,在油恒溫槽中,與2等標準水銀溫度計進行比較。檢定時油槽溫度變化不超過±0.1℃;300℃以上溫度點的檢定,在管式爐中與標準鉑銠10-鉑熱電偶(S型)進行比較。溫度檢定時,直接測量標準和被檢熱電偶的熱電動勢。
基于此,本實用新型的發明人發現,JJG 351-1996《工作用廉金屬熱電偶檢定規程》中對K型熱電偶的溫度校準為非真空條件,其要求在空氣條件下將被檢熱電偶絲抽出于管式爐中進行檢定校準,無法在真空和紅外加熱條件下對光功率熱分析儀的K偶進行校準。
公開于該背景技術部分的信息僅僅旨在增加對本實用新型的總體背景的理解,而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型要解決的技術問題是,如何提供一種溫度校準的裝置,能夠針對真空紅外加熱的特殊環境,對K偶進行溫度校準。
為解決以上技術問題,本實用新型實施例提供一種溫度校準的裝置,包括:樣品臺1,所述樣品臺1處于真空紅外加熱條件下;石英托管5,連接并支撐樣品臺1,處于真空紅外加熱條件下;K型熱電偶2,所述K型熱電偶2穿過所述石英托管5,其測溫端置于所述樣品臺1之內;塊狀介質3,位于所述樣品臺1之內,所述塊狀介質3加工有孔;以及S型熱電偶4,所述S型熱電偶4穿過石英托管5,其測溫端插入所述塊狀介質3的孔之內,根據所述S型熱電偶4測得的溫度,對所述K型熱電偶2所測量的溫度進行校準;其中,所述塊狀介質3的紅外輻射吸收率不低于0.90,導熱系數不低于60~70W/(m·K)。
在一種可能的實現方式中,所述塊狀介質3的材質包括高純度石墨。
在一種可能的實現方式中,所述塊狀介質3還加工有另一孔,所述K型熱電偶2的測溫端插入所述另一孔之內。
在一種可能的實現方式中,所述孔和所述另一孔位于所述塊狀介質3的任意位置。
在一種可能的實現方式中,所述S型熱電偶4與數字萬用表連接。
在一種可能的實現方式中,所述K型熱電偶2與控溫系統連接。
在一種可能的實現方式中,所述塊狀介質3的材質包括鎳鉻合金、碳化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷中的一種或多種。
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