[實用新型]一種低表面電流強魯棒性的雙向ESD防護結構

有效

• 申請號: 201820432995.2
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN209880616U
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 任艦;蘇麗娜;李文佳
• 申請（專利權）人: 淮陰師范學院
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 11562 北京東方盛凡知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 宋平

1.一種低表面電流強魯棒性的雙向ESD防護結構，包括具有提高維持電壓作用的PNP結構和具有大電流泄放能力的寄生SCR結構；其特征在于：PNP結構由P型襯底(101)、第一N-epi區(102)、第二N-epi區(104)、第一N阱(105)、第二N阱(106)、第一P+注入區(108)及第三P+注入區(110)構成，SCR結構由第一N-epi區(102)、P-body區(103)、第一N阱(105)、第一P+注入區(108)及第二P+注入區(109)構成，防護結構還包括第一N+注入區(107)、第二N+注入區(111)、第一場氧隔離區(112)、第二場氧隔離區(113)、第三場氧隔離區(114)及第四場氧隔離區(115)，所述P型襯底(101)的表面區域從左到右依次設有第一N-epi區(102)、P-body區(103)、第二N-epi區(104)；

所述第一N-epi的右側與P-body區(103)的左側相連，所述P-body區(103)的右側與第二N-epi區(104)的左側相連；在所述第一N-epi區(102)的表面區域從左到右依次設有第一N阱(105)和第二場氧隔離區(113)，第一N阱(105)的表面從左到右依次設有第一場氧隔離區(112)、第一N+注入區(107)及第一P+注入區(108)，第一場氧隔離區(112)的左側與第一N阱(105)的左側相連，第一場氧隔離區(112)的右側與第一N+注入區(107)的左側相連，第一N阱(105)的右側與第二場氧隔離區(113)的左側相連，所述第二場氧隔離區(113)的右側與P-body區(103)的左側相連；所述P-body區(103)的表面區域設有第二P+注入區(109)；

所述第二N-epi區(104)的表面區域從左到右依次設有第三場氧隔離區(114)和第二N阱(106)，所述第二N阱(106)的表面從左到右依次設有第三P+注入區(110)、所述第二N+注入區(111)及第四場氧隔離區(115)，所述第三場氧隔離區(114)的左側與P-body區(103)的右側相連，所述第三場氧隔離區(114)的右側與第二N阱(106)的左側相連，所述第二N+注入區(111)的右側與第四場氧隔離區(115)的左側相連，所述第四場氧隔離區115的右側與第二N阱(106)的右側相連；

所述第一N+注入區(107)與第一金屬a(120)相連接，所述第一P+注入區(108)與第二金屬a(121)相連接，所述第二P+注入區(109)與第三金屬a(122)相連接，所述第三P+注入區(110)與第四金屬a(123)相連接，所述第二N+注入區(111)與第五金屬a(124)相連接，所述第一金屬a(120)與第二金屬a(121)均與第一金屬b(125)相連接，并從所述第一金屬b(125)引出一電極Ⅰ(128)作為器件的第一金屬電極；所述第三金屬a(122)與第二金屬b(126)相連接，并從第二金屬b(126)引出一電極Ⅱ(129)作為器件的接地電極；

所述第四金屬a(123)及第五金屬a(124)均與第三金屬b(127)相連接，并從第三金屬b(127)引出一電極Ⅲ(130)作為器件的第二金屬電極。

2.根據權利要求1所述的一種低表面電流強魯棒性的雙向ESD防護結構，其特征在于：所述第一N阱(105)與所述P-body區(103)之間有一段可調節的距離D1，所述第二N阱(106)與所述P-body區(103)之間有一段可調節的距離D2。

3.根據權利要求1所述的一種低表面電流強魯棒性的雙向ESD防護結構，其特征在于：所述的雙向ESD防護器件為左右對稱結構。