[實用新型]一種磁阻傳感器有效
| 申請號： | 201820428785.6 | 申請日： | 2018-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN208000937U | 公開（公告）日： | 2018-10-23 |
| 發明（設計）人： | 張文偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院西安光學精密機械研究所;西安中科阿爾法電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 倪金榮 |
| 地址： | 710119 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化鉭層 磁阻傳感器 坡莫合金層 絕緣層 反鐵磁性 物質層 襯底 半導體 傳感器技術領域 本實用新型 分辨率 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁阻傳感器，
包括半導體襯底；
絕緣層，位于半導體襯底上；
第一氮化鉭層，位于絕緣層上；
坡莫合金層，位于所述第一氮化鉭層上；
第二氮化鉭層，位于所述坡莫合金層上；
其特征在于：還包括位于所述第一氮化鉭層和坡莫合金層之間的第一反鐵磁性物質層，
以及，位于所述坡莫合金層和第二氮化鉭層之間的第二反鐵磁性物質層。
2.根據權利要求1所述的一種磁阻傳感器，其特征在于：所述第一反鐵磁性物質層與第二反鐵磁性物質層材料相同，所述第一反鐵磁性物質層和第二反鐵磁性物質層的厚度相同，為20nm～40nm。
3.根據權利要求2所述的一種磁阻傳感器，其特征在于：所述第一反鐵磁性物質層為NiO或FeMn。
4.根據權利要求1或2或3所述的一種磁阻傳感器，其特征在于：所述第一氮化鉭層、第一反鐵磁性物質層、坡莫合金層、第二反鐵磁性物質層和第二氮化鉭層作為整體形成一個疊層結構，所述疊層結構有多個。
5.根據權利要求4所述的一種磁阻傳感器，其特征在于：多個疊層結構為2至10個。
6.根據權利要求5所述的一種磁阻傳感器，其特征在于：所述坡莫合金層的厚度為10nm～60nm；所述第一氮化鉭層和第二的氮化鉭層的厚度50nm～200nm。
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