[實用新型]OLED面板和包括該OLED面板的圖像顯示裝置有效
| 申請號: | 201820426176.7 | 申請日: | 2018-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN207938612U | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發明(設計)人: | 宋寅圭;成準僖 | 申請(專利權)人: | 東友精細化工有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;鐘錦舜 |
| 地址: | 韓國全*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一粘合劑層 圖像顯示裝置 有機發光二極管 本實用新型 界面處 中性面 | ||
1.一種有機發光二極管OLED面板,包括:
OLED模塊層;和
形成在所述OLED模塊層的表面上的第一粘合劑層,
其中在所述第一粘合劑層和所述OLED模塊層之間的界面處形成中性面。
2.根據權利要求1所述的OLED面板,其中所述OLED模塊層的厚度在80μm至400μm的范圍內,并且
所述OLED模塊層的彈性模量在1000MPa至8000MPa的范圍內。
3.根據權利要求1所述的OLED面板,其中,所述OLED模塊層包括OLED器件,所述OLED器件包括依次堆疊的陽極、包括有機發光層的有機層、陰極和封裝層。
4.根據權利要求1所述的OLED面板,其中所述OLED模塊層還包括數字轉換器層和屏蔽層。
5.根據權利要求1所述的OLED面板,其中所述第一粘合劑層的厚度在20μm至200μm的范圍內,并且所述第一粘合劑層的彈性模量在0.01MPa至1MPa的范圍內。
6.根據權利要求1所述的OLED面板,其中所述OLED模塊層包括觸摸傳感器層。
7.根據權利要求6所述的OLED面板,其中所述觸摸傳感器層的厚度在10μm至80μm的范圍內,并且所述觸摸傳感器層的彈性模量在500MPa至6000MPa的范圍內。
8.根據權利要求6所述的OLED面板,其中所述OLED模塊層的厚度在80μm至260μm的范圍內,并且所述OLED模塊層的彈性模量在1000MPa至8000MPa的范圍內。
9.根據權利要求6所述的OLED面板,其中所述OLED模塊層還包括封裝層,并且所述觸摸傳感器層形成在所述封裝層的表面上。
10.根據權利要求1所述的OLED面板,還包括堆疊結構,所述堆疊結構形成在所述第一粘合劑層的不與所述OLED模塊層接觸的另一表面上,
其中所述堆疊結構包括光學層、第二粘合劑層和窗口基板。
11.根據權利要求10所述的OLED面板,其中所述堆疊結構的厚度在60μm至500μm的范圍內,并且所述堆疊結構的彈性模量在200MPa至6000MPa的范圍內。
12.根據權利要求10所述的OLED面板,其中所述光學層包括拉伸型偏光器或涂布型偏光器。
13.根據權利要求10所述的OLED面板,其中所述堆疊結構還包括觸摸傳感器層。
14.根據權利要求13所述的OLED面板,其中所述OLED模塊層的厚度在110μm至400μm的范圍內,并且所述OLED模塊層的彈性模量在1000MPa至8000MPa的范圍內。
15.根據權利要求13所述的OLED面板,其中所述OLED模塊層的厚度在150μm至350μm的范圍內,并且所述OLED模塊層的彈性模量在1000MPa至8000MPa的范圍內。
16.根據權利要求13所述的OLED面板,其中所述觸摸傳感器層形成在所述第一粘合劑層的不與所述OLED模塊層接觸的另一表面上。
17.根據權利要求13所述的OLED面板,其中所述觸摸傳感器層直接形成在所述光學層上。
18.一種圖像顯示裝置,包括根據權利要求1至17中任一項所述的OLED面板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東友精細化工有限公司,未經東友精細化工有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820426176.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體存儲器件結構
- 下一篇:一種顯示器件及其電子設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





