[實(shí)用新型]封裝組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820414695.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208014687U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱政;胡鐵剛;潘華兵;金沈陽(yáng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/488 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/488;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純;張靖琳 |
| 地址: | 310012*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝組件 金屬柱 第一端 塑封層 芯片 測(cè)試效率 芯片接觸 電連接 減小 晶片 封裝 暴露 外部 覆蓋 申請(qǐng) | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了封裝組件。該封裝組件包括位于晶片上的多個(gè)芯片;第一塑封層,覆蓋所述多個(gè)芯片;以及多個(gè)金屬柱,分別包括相對(duì)的第一端和第二端,其中,所述多個(gè)金屬柱的所述第一端與所述多個(gè)芯片接觸,所述第二端暴露在所述第一塑封層外。該封裝組件采用金屬柱提供外部電連接,以減小封裝面積、提高可靠性和測(cè)試效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及封裝組件。
背景技術(shù)
隨著移動(dòng)終端和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用和快速發(fā)展,電子產(chǎn)品的充電保護(hù)芯片越來(lái)越重要。充電保護(hù)芯片不僅需要滿(mǎn)足電子產(chǎn)品面積持續(xù)減小的要求,而且還需要滿(mǎn)足快速充電以節(jié)省充電時(shí)間的要求,以及滿(mǎn)足測(cè)試以篩選失效電路芯片的需求。因此,對(duì)電子產(chǎn)品,特別是鋰電池充電保護(hù)芯片的性能的要求逐漸提高,芯片的面積逐漸減小,同時(shí)要求芯片有更好的散熱以應(yīng)對(duì)快速充電的需求。這就要求電路芯片更小、更薄、更輕、更大的電流、更小的導(dǎo)通電阻、以及更好的散熱。
然而,現(xiàn)有的電路芯片采用金屬引線(xiàn)框支撐芯片,采用金屬導(dǎo)線(xiàn)將芯片的焊盤(pán)與引線(xiàn)框的引腳相連接,然后采用塑封層包封起來(lái),形成封裝芯片(chip package)。以傳統(tǒng)的鋰電池充電保護(hù)芯片為例,從晶片上劃片出單個(gè)芯片,然后進(jìn)行封裝,例如采用SOT-23-6的封裝形式。由于采用引線(xiàn)框的引腳提供外部電連接,因此需要附加的引腳空間,這至少增加原芯片20%的面積。在封裝芯片內(nèi)部,采用金屬導(dǎo)線(xiàn)提供內(nèi)部電連接,這很難保證通過(guò)大的電流,也難以獲得小導(dǎo)通電阻,在散熱特性上也都受到限制。在另一些電路芯片中,將芯片倒裝焊接引線(xiàn)框上,雖然可以提供大電流能力,但引線(xiàn)框仍然需要附加的引腳空間,導(dǎo)致封裝面積較大。
在將鋰電池充電保護(hù)芯片供給市場(chǎng)之前,還需要對(duì)其進(jìn)行測(cè)試,例如在封裝之前進(jìn)行測(cè)試。現(xiàn)有的鋰電池充電保護(hù)芯片設(shè)計(jì)專(zhuān)用的測(cè)試引腳,或者采用接地引腳兼用作測(cè)試引腳。在芯片測(cè)試時(shí),采用專(zhuān)用的測(cè)試引腳接到電源可以減小測(cè)試延時(shí),大幅提升測(cè)試效率。在封裝過(guò)程中可以覆蓋或暴露測(cè)試引腳。然而,該專(zhuān)用的測(cè)試引腳在最終產(chǎn)品中暴露是不利的,不僅導(dǎo)致引腳數(shù)量增加,以及相應(yīng)地導(dǎo)致封裝面積增大,而且需要在使用中進(jìn)行辨別,導(dǎo)致使用不便。如果在最終產(chǎn)品是錯(cuò)誤連接該測(cè)試引腳,甚至可能導(dǎo)致芯片損壞。采用兼用的測(cè)試引腳則會(huì)導(dǎo)致延時(shí)過(guò)大,結(jié)果測(cè)試效率降低。
因此,期望地進(jìn)一步改進(jìn)芯片的封裝結(jié)構(gòu),在適應(yīng)芯片小型化的同時(shí)提高芯片性能和可靠性,以及提高測(cè)試效率。
實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此,本實(shí)用新型的目的在于提供一種封裝組件,采用金屬柱提供外部電連接以減小封裝面積和提高可靠性。
根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面,提供一種封裝組件,其特征在于,包括:位于晶片上的多個(gè)芯片;第一塑封層,覆蓋所述多個(gè)芯片;以及多個(gè)金屬柱,分別包括相對(duì)的第一端和第二端,其中,所述多個(gè)金屬柱的所述第一端與所述多個(gè)芯片接觸,所述第二端暴露在所述第一塑封層外。
優(yōu)選地,所述第一塑封層包封所述多個(gè)芯片。
優(yōu)選地,還包括第二塑封層,所述第一塑封層和所述第二塑封層共同包封所述多個(gè)芯片。
優(yōu)選地,所述多個(gè)金屬柱分別為柱狀,截面形狀為選自圓柱、半圓、棱形、多邊形和不規(guī)則形狀中任一種。
優(yōu)選地,所述多個(gè)金屬柱的高度為1微米-200微米。
優(yōu)選地,所述多個(gè)金屬柱的高度為20微米。
優(yōu)選地,所述多個(gè)金屬柱由鎳組成,并且所述多個(gè)金屬柱的第二端鍍易焊性金屬或其合金。
優(yōu)選地,所述易焊性金屬為選自金、銀和銅中的任意一種。
優(yōu)選地,所述多個(gè)金屬柱通過(guò)化學(xué)鍍形成。
優(yōu)選地,所述多個(gè)芯片分別包括焊盤(pán),所述多個(gè)金屬柱的第一端與所述焊盤(pán)接觸。
優(yōu)選地,所述多個(gè)芯片為鋰電池充電保護(hù)芯片。
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