[實用新型]失調(diào)電壓自適應(yīng)數(shù)字校準型靈敏放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820411822.2 | 申請日: | 2018-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN207833929U | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彭春雨;孔令雨;盧文娟;王永俊;吳秀龍;藺智挺;高珊;陳軍寧 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽大學(xué) |
| 主分類號: | G11C7/06 | 分類號: | G11C7/06 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260 | 代理人: | 鄭立明;鄭哲 |
| 地址: | 230601 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 失調(diào)電壓 靈敏放大器 靜態(tài)隨機存儲器 數(shù)字校準型 自適應(yīng) 靈敏放大器電路 本實用新型 補償狀態(tài) 單元讀取 讀取電路 功耗消耗 設(shè)計裕度 數(shù)據(jù)讀取 外圍電路 校準補償 鎖存 | ||
1.一種失調(diào)電壓自適應(yīng)數(shù)字校準型靈敏放大器,其特征在于,包括:相互連接的靈敏放大器主體部分、校準鎖存電路,以及參考電壓生成電路;
其中,所述校準鎖存電路包括:十個PMOS晶體管、四個NMOS晶體管、一個或門以及八個反相器;十個PMOS晶體管依次記為P9~P18,四個NMOS晶體管依次記為N6~N9,八個反相器依次記為I1~I8,或門記為OR;其中:
PMOS晶體管P9源極與VDD連接;PMOS晶體管P10柵極與輸出節(jié)點OUT連接;PMOS晶體管P10源極與PMOS晶體管P9漏極連接;
PMOS晶體管P11柵極與校準信號CK連接;PMOS晶體管P11源極與PMOS晶體管P10漏極連接;PMOS晶體管P11漏極與反相器I1輸出連接,反相器I1輸出記為節(jié)點A;反相器I1輸出與反相器I2輸入連接;反相器I2輸出與反相器I1輸入連接,反相器I1輸入記為節(jié)點AB;
NMOS晶體管N6柵極與重置信號RSET連接;NMOS晶體管N6漏極與PMOS晶體管P11漏極連接;NMOS晶體管N6源極與GND連接;
PMOS晶體管P12源極與VDD連接;PMOS晶體管P13柵極與輸出節(jié)點OUTB連接;PMOS晶體管P13源極與PMOS晶體管P12漏極連接;
PMOS晶體管P14柵極與校準信號CK連接;PMOS晶體管P14源極與PMOS晶體管P13漏極連接;PMOS晶體管P14漏極與反相器I3輸入連接,反相器I3輸入記為節(jié)點B;反相器I3輸出與反相器I4輸入連接,反相器I4輸入記為節(jié)點BB;反相器I4輸出與反相器I3輸入連接;
NMOS晶體管N7柵極與重置信號RSET連接;NMOS晶體管N7漏極與PMOS晶體管P14漏極連接;NMOS晶體管N7源極與GND連接;
PMOS晶體管P15源極與VDD連接;PMOS晶體管P15柵極與節(jié)點AB連接;PMOS晶體管P15漏極與PMOS晶體管P16源極連接;PMOS晶體管P16柵極和或門OR輸出連接;PMOS晶體管P16漏極與反相器I5輸出連接,反相器I5輸出記為節(jié)點C;反相器I5輸出與反相器I6輸入連接;反相器I6輸出與反相器I5輸入連接反相器I5輸入記為節(jié)點CB;節(jié)點C和或門OR輸入連接;
NMOS晶體管N8柵極與重置信號RSET連接;NMOS晶體管N8漏極與PMOS晶體管P16漏極連接;NMOS晶體管N8源極與GND連接;
PMOS晶體管P17源極與VDD連接;PMOS晶體管P17柵極與節(jié)點BB連接;PMOS晶體管P17漏極與PMOS晶體管P18源極連接;PMOS晶體管P18柵極和或門OR輸出連接;PMOS晶體管P18漏極與反相器I7輸入連接,反相器I7輸入記為節(jié)點D;反相器I7輸入與反相器I8輸出連接;反相器I7輸出與反相器I8輸入連接,反相器I8輸入記為DB;節(jié)點D和或門OR輸入連接;NMOS晶體管N9柵極與重置信號RSET連接;NMOS晶體管N9漏極與PMOS晶體管P18漏極連接;NMOS晶體管N9源極與GND連接。
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