[實用新型]一種新型石墨坩堝

有效

• 申請號: 201820403906.1
• 申請日: 2018-03-23
• 公開（公告）號: CN208346249U
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 陳珂珩
• 申請（專利權）人: 蘇州瑞康真空科技有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30
• 代理公司: 上海宣宜專利代理事務所(普通合伙) 31288
• 代理人: 劉君

由于現有的采用電子束加熱的真空鍍膜機在加熱時，電子束的加熱的溫度高達1000℃～3000℃，而有機物的揮發溫度基本在400℃～800℃之間，故用電子束對有機物直接進行加熱可能會導致有機會分解。為了能夠使用現有的普遍應用的采用電子束加熱的真空蒸發鍍膜機，本實用新型提出一種新型石墨坩堝，該新型石墨坩堝可以應用于現有的采用電子束加熱的真空蒸發鍍膜機中，取代常規的坩堝，這樣，高能量的電子束打在本實用新型的新型石墨坩堝的表面，而石墨具有降溫作用，這樣會對坩堝內的有機物蒸發鍍膜材料進行保護，使得有機物蒸發鍍膜材料能夠在低于電子束加熱溫度的情況下就開始蒸發保證在整個有機物進行真空蒸發鍍膜的過程中有機物不會發生分解。

技術領域

本實用新型涉及到真空鍍膜技術，尤其是涉及到一種用于真空鍍膜機的新型石墨坩堝。

背景技術

蒸發鍍膜技術是指通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，其中有一種加熱方式為采用電子束加熱源進行加熱，當采用電子束加熱源進行加熱時，可以使得加熱的溫度達到1000℃～3000℃，使得金屬蒸發鍍膜材料能夠充分蒸發并沉積在待鍍膜的材料的表面，故采用電子束加熱的方式目前已經普及。

隨著蒸發鍍膜技術的發展，在真空條件下進行蒸發鍍膜技術已經成熟，但是基本上都是只能針對揮發溫度較高的材料，針對揮發溫度較低的有機物，則很難通過電子束加熱的方式采用真空蒸發鍍膜技術實現，原因在于基本上有機物的揮發溫度相對都比較低，基本在400℃～800℃之間，遠遠低于電子束的加熱溫度，這樣就會使得有機物可能在高溫的情況下發生分解，而這些并不是我們樂于見到的現象。

實用新型內容

有鑒于此，為了能夠使用現有的普遍應用的采用電子束加熱的真空蒸發鍍膜機，本實用新型提出一種新型石墨坩堝，該新型石墨坩堝可以應用于現有的采用電子束加熱的真空蒸發鍍膜機中，取代常規的坩堝，這樣，高能量的電子束不會直接打在蒸發鍍膜材料的表面，而是打在本實用新型的新型石墨坩堝的表面，而石墨具有降溫作用，這樣會對坩堝內的有機物蒸發鍍膜材料進行保護，使得有機物蒸發鍍膜材料能夠在低于電子束加熱溫度的情況下就開始蒸發，并沉積在待鍍膜的工件表面，保證在整個有機物進行真空蒸發鍍膜的過程中有機物不會發生分解。

一種新型石墨坩堝，其包括：上蓋1和下蓋2，其特征在于：上蓋1上從上到下依次排布有蒸發臺11、電子束打火臺12、上蓋邊緣13以及圓形凸起咬合區14，其中蒸發臺11的上表面含有一蒸發孔111，該蒸發孔111從上到下貫穿整個蒸發臺11；下蓋2含有邊緣凸臺21，位于邊緣凸臺21內部的圓形凹陷咬合區22，以及位于圓形凹陷咬合區22內部的中心置藥平臺23；上蓋1上的圓形凸起咬合區14與下蓋2上的圓形凹陷咬合區22可以匹配吻合，且電子束打火臺12、上蓋邊緣13以及圓形凸起咬合區14的內部貫通，與下蓋2的中心置藥平臺23形成容置腔室15，該容置腔室15內用于存放有機物蒸發鍍膜材料。

進一步的，圓形凸起咬合區14的邊緣具有一個或多個凸起咬合角141。

進一步的，圓形凹陷咬合區22的邊緣具有一個或多個凹陷咬合角221。

進一步的，所述的凸起咬合角和凹陷咬合角的形狀包括半圓形、橢圓形、正方形、長方形、菱形等，且能互相吻合。

進一步的，所述的凸起咬合角141與凸起咬合區14的高度相同，所述的凹陷咬合區22與凹陷咬合角221的高度相同，且高度均為0.5mm～2mm。

進一步的，所述的凸起咬合區14和所述的凹陷咬合區22均為環形，凸起咬合區14的環形的外圓直徑比內圓直徑大1.5mm～2.5mm,凹陷咬合區22的環形的外圓直徑比內圓直徑大1.6mm～3mm，且凹陷咬合區22的環形的內圓直徑比凸起咬合區14的環形的內圓直徑小，凹陷咬合區22的環形的外圓直徑比凸起咬合區14的環形的外圓直徑小。

進一步的，所述的蒸發臺11的上表面為半圓形，且直徑為15mm～20mm，蒸發臺11的高度為3mm～6mm。