[實用新型]磁性物理不可克隆函數器件及磁性物理不可克隆函數裝置有效
| 申請號： | 201820393346.6 | 申請日： | 2018-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN207909918U | 公開（公告）日： | 2018-09-25 |
| 發明（設計）人： | 許炎 | 申請（專利權）人： | 武漢華芯納磁科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/06 | 分類號： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區光*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 上表面 磁性物理 克隆 重金屬層 隧穿層 自由層 釘扎層 鈷鐵硼 本實用新型 薄膜層 物理不可克隆函數 氧化鎂薄膜層 隨機性 襯底上表面 氧化鎂薄膜 唯一性 函數裝置 防篡改 襯底 薄膜 制備 交界 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁性物理不可克隆函數器件，其特征在于，所述器件包括：襯底、設于所述襯底上表面的重金屬層、設于所述重金屬層上表面的磁性物理不可克隆函數層，其中，
所述磁性物理不可克隆函數層具體包括：設于所述重金屬層上表面的釘扎層、設于所述釘扎層上表面的隧穿層及設于所述隧穿層上表面的自由層；或者，所述磁性物理不可克隆函數層具體包括：設于所述重金屬層上表面的自由層、設于所述自由層上表面的隧穿層及設于所述隧穿層上表面的釘扎層；
所述自由層具體包括鈷鐵硼薄膜層及設于所述鈷鐵硼薄膜層上表面的氧化鎂薄膜層。
2.根據權利要求1所述的磁性物理不可克隆函數器件，其特征在于，所述氧化鎂薄膜層的厚度不均勻。
3.根據權利要求2所述的磁性物理不可克隆函數器件，其特征在于，所述氧化鎂薄膜層各單位面積的厚度隨機分布。
4.根據權利要求1所述的磁性物理不可克隆函數器件，其特征在于，所述襯底為硅襯底或者二氧化硅襯底。
5.根據權利要求1所述的磁性物理不可克隆函數器件，其特征在于，所述釘扎層為鈷鐵硼薄膜。
6.根據權利要求1所述的磁性物理不可克隆函數器件，其特征在于，所述隧穿層為氧化鎂薄膜。
7.一種磁性物理不可克隆函數裝置，其特征在于，所述裝置包括若干權利要求1-6任一項所述的磁性物理不可克隆函數器件，其中，各所述磁性物理不可克隆函數器件呈陣列排布。
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