[實用新型]雙膜可熱彎LOW-E玻璃有效
| 申請號： | 201820384241.4 | 申請日： | 2018-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN208071587U | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發明（設計）人： | 董清世;陳大偉 | 申請（專利權）人： | 信義玻璃（天津）有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/36 | 分類號： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 300000 天津市濱*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電介質 復合介質 保護層 干涉層 熱彎 雙膜 鍍膜玻璃產品 低輻射層 第一膜層 光吸收層 抗氧化層 組件包括 空氣面 膜層 錫面 合金 玻璃技術領域 本實用新型 玻璃基板 性能特點 低傳熱 高節能 高透光 半導體 金屬 覆蓋 | ||
1.一種雙膜可熱彎LOW-E玻璃，包括玻璃基板，所述玻璃基板相對的兩表面分別為錫面層和空氣面層，其特征在于：所述錫面層和所述空氣面層的表面分別覆蓋固定有第一膜層組件和第二膜層組件；所述第一膜層組件包括依序疊設的第一電介質干涉層、第二電介質干涉層、半導體低輻射層、第一復合介質保護層以及第二復合介質保護層，所述第一電介質干涉層覆蓋固定于所述錫面層上；所述第二膜層組件包括依序疊設的第三電介質干涉層、第四電介質干涉層、第一合金光吸收層、金屬低輻射層、第二合金光吸收層、第一電介質抗氧化層、第二電介質抗氧化層、第三復合介質保護層以及第四復合介質保護層，所述第三電介質干涉層覆蓋固定于所述空氣面層上。
2.根據權利要求1所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一電介質干涉層和所述第二電介質干涉層分別為ZnAlOX層和SiO2層；且所述第一電介質干涉層的厚度為20nm～40nm，第二電介質干涉層的厚度為40nm～60nm。
3.根據權利要求1所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述半導體低輻射層為ITO層，且所述半導體低輻射層的厚度為10nm～18nm。
4.根據權利要求1所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一復合介質保護層和第二復合介質保護層分別為SiO2層和ZrO2層；且所述第一復合介質保護層的厚度為20nm～40nm，所述第二復合介質保護層的厚度為40nm～60nm。
5.根據權利要求1所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述第三電介質干涉層和所述第四電介質干涉層分別為Si3N4層和AZO層；且所述第三電介質干涉層的厚度為15nm～25nm，所述第四電介質干涉層的厚度為10nm～20nm。
6.根據權利要求1所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一合金光吸收層和所述第二合金光吸收層均為NiCrNX層；且所述第一合金光吸收層和所述第二合金光吸收層的厚度均為4nm～15nm。
7.根據權利要求1所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述金屬低輻射層為AgNX層；且所述金屬低輻射層的厚度為5nm～10nm。
8.根據權利要求1所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一電介質抗氧化層和所述第二電介質抗氧化層分別為AZO層和ZnAlOX層；且所述第一電介質抗氧化層和所述第二電介質抗氧化層的厚度均為5nm～15nm。
9.根據權利要求1所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述第三復合介質保護層和所述第四復合介質保護層分別為Si3N4層和ZrO2層；且所述第三復合介質保護層膜層的厚度為10nm～20nm，所述第四復合介質保護層膜層的厚度為10nm～15nm。
10.根據權利要求1～9中任一項所述的雙膜可熱彎LOW-E玻璃，其特征在于，所述玻璃基板為浮法玻璃。
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