[實(shí)用新型]水冷裝置及單晶硅生長爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820384023.0 | 申請日： | 2018-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN208038587U | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳家駿;鄒凱;曾世銘;徐由兵;田棟東 | 申請（專利權(quán)）人： | 包頭市山晟新能源有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人： | 闞梓瑄;王衛(wèi)忠 |
| 地址： | 014100 內(nèi)蒙古自*** | 國省代碼： | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 內(nèi)導(dǎo)流筒 水冷裝置 法蘭盤 單晶硅生長爐 本實(shí)用新型 外導(dǎo)流筒 出水口 導(dǎo)流筒 進(jìn)水口 夾層 水套 連通 單晶硅 單晶硅棒 爐體頂部 外界連通 外部 爐蓋 爐內(nèi) 伸入 豎直 生長 | ||
1.一種水冷裝置，用于單晶硅生長爐，所述單晶硅生長爐包括爐蓋、爐體和單晶爐熱場，其特征在于，所述水冷裝置包括：
法蘭盤，設(shè)于所述爐體頂部，所述爐蓋設(shè)于所述法蘭盤上，所述法蘭盤設(shè)有能與外界連通的進(jìn)水口和出水口；
水套，設(shè)于所述爐內(nèi)并沿豎直方向呈筒形，以形成供單晶硅棒伸入，所述水套內(nèi)設(shè)有管道，所述管道的一端與所述進(jìn)水口連通，另一端與所述出水口連通；
內(nèi)導(dǎo)流筒，設(shè)于所述水套外部，所述內(nèi)導(dǎo)流筒外部還設(shè)有外導(dǎo)流筒，所述內(nèi)導(dǎo)流筒架設(shè)于所述外導(dǎo)流筒，所述內(nèi)導(dǎo)流筒與所述外導(dǎo)流筒形成導(dǎo)流筒夾層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水冷裝置，其特征在于，所述水套為向所述爐體底部逐漸縮小的錐筒形結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水冷裝置，其特征在于，所述內(nèi)導(dǎo)流筒的上部分為豎直設(shè)置，中部分為向所述爐體底部逐漸縮小的錐筒形結(jié)構(gòu)，且與所述水套的高度及角度相同，所述內(nèi)導(dǎo)流筒的下部分與所述水套的內(nèi)側(cè)在同一直線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的水冷裝置，其特征在于，所述內(nèi)導(dǎo)流筒的中部分與所述水套在豎直方向的傾斜角度為24度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水冷裝置，其特征在于，所述內(nèi)導(dǎo)流筒與外導(dǎo)流筒的材質(zhì)為石墨，所述導(dǎo)流筒夾層填充導(dǎo)熱率低的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的水冷裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱率低的材料為石墨軟氈或石墨固化氈。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的水冷裝置，其特征在于，所述水冷裝置還包括：
鉬制薄壁筒，設(shè)置于所述水套上沿且與所述管道貼合；
兩個(gè)水套固定架，設(shè)置于所述法蘭盤與所述水套之間，與所述鉬制薄壁筒貼合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的水冷裝置，其特征在于，所述鉬制薄壁筒沿豎直方向呈環(huán)狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的水冷裝置，其特征在于，所述兩個(gè)水套固定架焊接于所述法蘭盤和所述水套。
10.一種單晶硅生長爐，包括爐體、爐蓋和單晶爐熱場，其特征在于，所述單晶硅生長爐還包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的水冷裝置，所述外導(dǎo)流筒架設(shè)于所述單晶爐熱場。
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