[實用新型]包括終止結構的電子設備

有效

• 申請號: 201820369148.6
• 申請日: 2018-03-19
• 公開（公告）號: CN208127215U
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: G·H·羅切爾特
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王美石;姚開麗

1.一種包括終止結構的電子設備，所述終止結構包括：

襯底，所述襯底包括第一導電類型的半導體材料；

與所述第一導電類型相反的第二導電類型的第一半導體層，其中所述第一半導體層覆蓋在所述襯底上面并且具有主表面；

第一溝槽，所述第一溝槽延伸穿過所述第一半導體層的厚度的大部分；以及

所述第二導電類型的主體延伸區，所述主體延伸區與所述第一半導體層的所述主表面相鄰并且與所述第一溝槽間隔開。

2.根據權利要求1所述的電子設備，還包括所述第一導電類型的第一摻雜區，其中所述第一摻雜區與所述第一半導體層的所述主表面相鄰并且設置在所述第一溝槽與所述主體延伸區之間。

3.根據權利要求2所述的電子設備，其中：

所述第一摻雜區鄰接所述第一溝槽，并且

所述電子設備還包括：

第二溝槽，所述第二溝槽延伸穿過所述第一半導體層的至少一部分并且與所述第一溝槽和所述第一摻雜區間隔開；和

所述第一導電類型的第二摻雜區，其中所述第二摻雜區設置在所述主體延伸區與所述第二溝槽之間并且與所述主體延伸區和所述第二溝槽間隔開。

4.根據權利要求1所述的電子設備，還包括所述第一導電類型的第一摻雜區，所述第一摻雜區沿著所述第一溝槽的大部分延伸，其中所述第一摻雜區與所述第一半導體層的所述主表面間隔開。

5.根據權利要求4所述的電子設備，還包括所述第一導電類型的第二半導體層，所述第二半導體層設置在所述襯底與所述第一半導體層之間，其中所述第二半導體層具有與所述第一摻雜區和所述襯底每一者相比更低的摻雜物濃度。

6.根據權利要求1所述的電子設備，還包括：

所述第一導電類型的第二半導體層，所述第二半導體層設置在所述襯底與所述第一半導體層之間；

第二溝槽，所述第二溝槽延伸穿過所述第一半導體層和所述第二半導體層的厚度的大部分并且與所述第一溝槽間隔開；

所述第一導電類型的第一摻雜區，其中所述第一摻雜區與所述第一半導體層的所述主表面相鄰，設置在所述第一溝槽與所述主體延伸區之間，并且鄰接所述第一溝槽；以及

所述第一導電類型的第二摻雜區，其中所述第二摻雜區與所述第一半導體層的所述主表面間隔開，沿著所述第一溝槽的大部分延伸，并且沿著所述第一摻雜區與所述襯底之間的導電路徑,

其中：

所述第一摻雜區和所述第二摻雜區每一者具有與所述第一半導體層和所述第二半導體層每一者相比更高的摻雜物濃度；并且

所述第一摻雜區和所述第二摻雜區每一者具有與所述襯底相比更低的摻雜物濃度。

7.根據權利要求6所述的電子設備，還包括所述第一導電類型的第三摻雜區，其中所述第三摻雜區設置在所述主體延伸區與所述第二溝槽之間并且與所述主體延伸區和所述第二溝槽間隔開，并且其中所述第三摻雜區電浮動，具有與所述第一半導體層和所述第二半導體層每一者相比更高的摻雜物濃度，并且具有與所述襯底相比更低的摻雜物濃度。

8.一種包括終止結構的電子設備，所述終止結構包括：

襯底，所述襯底包括第一導電類型的半導體材料；

與所述第一導電類型相反的第二導電類型的第一半導體層，其中所述第一半導體層覆蓋在所述襯底上面并且具有主表面；

第一溝槽，所述第一溝槽延伸穿過所述第一半導體層的厚度的大部分；以及

所述第一導電類型的第一摻雜區，所述第一摻雜區與所述第一半導體層的所述主表面相鄰并且鄰接所述第一溝槽。

9.根據權利要求8所述的電子設備，還包括：

所述第一導電類型的第二半導體層，所述第二半導體層設置在所述襯底與所述第一半導體層之間；

所述第一導電類型的第二摻雜區，所述第二摻雜區沿著所述第一溝槽的大部分延伸，其中所述第二摻雜區具有與所述第一半導體層和所述第二半導體層每一者相比更高的摻雜物濃度；以及

有源區，其中所述電子設備被配置成使得漏極-源極雪崩擊穿在所述有源區內比在所述終止結構內更低。

10.一種包括終止結構的電子設備，所述終止結構包括：

襯底，所述襯底包括第一導電類型的半導體材料；

與所述第一導電類型相反的第二導電類型的第一半導體層，其中所述第一半導體層覆蓋在所述襯底上面并且具有主表面；

第一溝槽，所述第一溝槽延伸穿過所述第一半導體層的厚度的第一大部分；

第二溝槽，所述第二溝槽延伸穿過所述第一半導體層的所述厚度的第二大部分并且與所述第一溝槽間隔開；以及

所述第一導電類型的第一摻雜區，其中所述第一摻雜區與所述第一半導體層的所述主表面相鄰，與所述第一溝槽和所述第二溝槽間隔開，并且電浮動。