[實(shí)用新型]一種外包覆式高效能低漏電流的肖基二極管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820365004.3
• 申請(qǐng)日: 2018-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN208045506U
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張峻瑋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張峻瑋
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872
• 代理公司: 北京匯智英財(cái)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11301
• 代理人: 鄭玉潔

1.一種外包覆式高效能低漏電流的肖基二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一下金屬層，其作為歐姆接口；

一基板，其位于該下金屬層上方；

一磊晶層，其位于該基板的上方，且具有第一導(dǎo)電形態(tài)；該磊晶層摻雜形式與該基板相同，且其摻雜濃度?。?/p>

一上金屬層，其位于該磊晶層上方，該上金屬層作為肖基接口；

兩個(gè)保護(hù)區(qū)，位于該磊晶層兩側(cè)及該上金屬層的下方；各保護(hù)區(qū)由該磊晶層的上表面摻雜雜質(zhì)而形成，其中，該保護(hù)區(qū)的導(dǎo)電形式與該磊晶層的導(dǎo)電形式不相同；

其中，該上金屬層、該保護(hù)區(qū)、該磊晶層及該基板的兩個(gè)側(cè)邊分別形成一溝槽；以及

兩個(gè)擋板，該兩個(gè)擋板分別位于該溝槽中且包覆該上金屬層、該保護(hù)區(qū)、該磊晶層及該基板的側(cè)邊。

2.如權(quán)利要求1所述的外包覆式高效能低漏電流的肖基二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為硅基板，且摻雜有高濃度的N⁺離子。

3.如權(quán)利要求1所述的外包覆式高效能低漏電流的肖基二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該擋板高于該上金屬層一特定的高度。

4.如權(quán)利要求1所述的外包覆式高效能低漏電流的肖基二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該擋板的上部位向兩邊擴(kuò)張而覆蓋部分的上金屬層。

5.如權(quán)利要求1所述的外包覆式高效能低漏電流的肖基二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上金屬層突出于該擋板中，而形成突出部，使得該擋板將接觸到該上金屬層的部分下表面。