[實用新型]天線的封裝結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820359524.3 | 申請日: | 2018-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN208336188U | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳彥亨;林正忠;吳政達;林章申 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/66;H01L21/56;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 羅泳文 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 本實用新型 封裝結構 重新布線層 天線 天線封裝 天線結構 金屬連接柱 天線電路 天線金屬 封裝層 互連 封裝 芯片 半導體封裝 扇出型封裝 垂直互連 多層天線 封裝性能 金屬凸塊 集成度 金屬層 整合性 多層 整合 應用 | ||
1.一種天線的封裝結構,其特征在于,所述封裝結構包括:
天線電路芯片;
第一封裝層,包覆所述天線電路芯片,包括第一面及相對的第二面,所述第一面顯露所述天線電路芯片的正面;
第一重新布線層,形成于所述天線電路芯片的正面及所述第一封裝層的第一面,所述第一重新布線層包括與所述第一封裝層連接的第一面以及相對的第二面;
天線結構,包括第二封裝層、第一天線金屬層、第二重新布線層及第一金屬凸塊,所述第一天線金屬層位于所述第二封裝層的第一面,所述第二重新布線層位于所述第二封裝層的第二面,所述第一天線金屬層及所述第二重新布線層藉由穿過所述第二封裝層的第一金屬連接柱電性連接,所述第一金屬凸塊形成于所述第二重新布線層上,所述第一金屬凸塊與所述第一重新布線層接合;
第二金屬連接柱,形成于所述第一重新布線層的第二面上,所述第二金屬連接柱的高度不低于所述天線結構的頂面;
第三封裝層,包覆所述天線結構,且所述第二金屬連接柱的頂面露出于所述第三封裝層;
第二天線金屬層,形成于所述第三封裝層表面,所述第二天線金屬層與所述第二金屬連接柱連接;以及
第二金屬凸塊,形成于所述第一封裝層的通孔中,并電性連接所述第一重新布線層的第一面。
2.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述第一封裝層的材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種;所述第二封裝層的材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種,所述第三封裝層的材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種。
3.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述第一重新布線層包括圖形化的介質層以及圖形化的金屬布線層。
4.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述第二重新布線層包括依次層疊的圖形化的第一介質層、圖形化的金屬布線層以及圖形化的第二介質層。
5.根據權利要求3或4所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述介質層的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一種,所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種。
6.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述第一金屬連接柱及所述第二金屬連接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種。
7.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述第一金屬凸塊及第二金屬凸塊包括錫焊料、銀焊料及金錫合金焊料中的一種。
8.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述第一重新布線層的兩端寬度大于所述天線結構的寬度,所述第二金屬連接柱分布于所述天線結構外圍的第一重新布線層的第二面上。
9.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述第二天線金屬層在所述第一天線金屬層的垂向區(qū)域具有一窗口,以避免所述第二天線金屬層對所述第一天線金屬層的遮擋。
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