[實(shí)用新型]一種基于氧化鈮選通管和氧化鋯阻變層的1S1R器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820359199.0 | 申請日： | 2018-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN208127244U | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王浩;陳欽;陳傲;馬國坤;何玉立 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖北大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人： | 楊采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 阻變層 氧化鈮 氧化鋯 選通管 本實(shí)用新型 轉(zhuǎn)換層 底電極層 頂電極層 高密度集成 十字交叉 漏電流 減小 應(yīng)用 | ||
1.一種基于氧化鈮選通管和氧化鋯阻變層的1S1R器件，其特征在于：所述1S1R器件從下至上依次包括底電極層、阻變層、轉(zhuǎn)換層和頂電極層，其中：所述底電極層為FTO、ITO、ZTO或TiN材料中的任一種，所述阻變層為氧化鋯薄膜材料，所述轉(zhuǎn)換層為氧化鈮薄膜材料，所述頂電極層為Pt薄膜材料，所述底電極層的厚度為100～300nm，所述阻變層的厚度為15～30nm，所述轉(zhuǎn)換層的厚度為30～80nm，所述頂電極層的厚度為50～300nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氧化鈮選通管和氧化鋯阻變層的1S1R器件，其特征在于：所述的轉(zhuǎn)換層原料為五氧化二鈮。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于氧化鈮選通管和氧化鋯阻變層的1S1R器件，其特征在于：所述底電極層、阻變層、轉(zhuǎn)換層和頂電極層的形狀為矩形或圓形，所述矩形的邊長為100nm～100μm，所述圓形的直徑為100nm～100μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于氧化鈮選通管和氧化鋯阻變層的1S1R器件，其特征在于：當(dāng)所述底電極層、阻變層、轉(zhuǎn)換層和頂電極層的形狀為矩形時，所述底電極層的邊長為400nm～4μm；所述阻變層、轉(zhuǎn)換層和頂電極層的邊長為100nm～4μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于氧化鈮選通管和氧化鋯阻變層的1S1R器件，其特征在于：所述底電極層、阻變層、轉(zhuǎn)換層和頂電極層的形狀為正方形，邊長為0.4μm～4μm。
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