[實(shí)用新型]電磁屏蔽膜及線路板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820353020.0
• 申請(qǐng)日: 2018-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208623969U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇陟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02;H05K9/00;B32B33/00;B32B3/08;B32B7/12
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 梁順宜;郝傳鑫

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種電磁屏蔽膜及線路板，其中，電磁屏蔽膜包括第一屏蔽層、第二屏蔽層、膠膜層和若干凸?fàn)铑w粒；所述第一屏蔽層包括相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第二表面為起伏的非平整表面；所述若干凸?fàn)铑w粒附著在所述第一屏蔽層的第二表面上；所述第二屏蔽層配置在所述第一屏蔽層的第二表面上，并覆蓋所述若干凸?fàn)铑w粒，從而在所述第二屏蔽層的外表面的與所述凸?fàn)铑w粒對(duì)應(yīng)的位置形成凸部，而在其他位置形成凹部，所述第二屏蔽層的外表面的起伏度大于所述第二表面的起伏度；所述膠膜層配置在所述第二屏蔽層的外表面上。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種電磁屏蔽膜及線路板。

背景技術(shù)

隨著電子工業(yè)的迅速發(fā)展，電子產(chǎn)品進(jìn)一步向小型化，輕量化，組裝高密度化發(fā)展，極大地推動(dòng)撓性電路板的發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)元件裝置和導(dǎo)線連接一體化。撓性電路板可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、液晶顯示、通信和航天等行業(yè)。

在國(guó)際市場(chǎng)的推動(dòng)下，功能撓性電路板在撓性電路板市場(chǎng)中占主導(dǎo)地位，而評(píng)價(jià)功能撓性電路板性能的一項(xiàng)重要指標(biāo)是電磁屏蔽((Electromagnetic InterferenceShielding，簡(jiǎn)稱EMI Shielding)。隨著手機(jī)等通訊設(shè)備功能的整合，其內(nèi)部組件急劇高頻高速化。例如：手機(jī)功能除了原有的音頻傳播功能外，照相功能已成為必要功能，且WLAN(Wireless Local Area Networks，無(wú)線局域網(wǎng))、GPS(Global Positioning System，全球定位系統(tǒng))以及上網(wǎng)功能已普及，再加上未來(lái)的感測(cè)組件的整合，組件急劇高頻高速化的趨勢(shì)更加不可避免。在高頻及高速化的驅(qū)動(dòng)下所引發(fā)的組件內(nèi)部及外部的電磁干擾、信號(hào)在傳輸中衰減以及插入損耗和抖動(dòng)問(wèn)題逐漸嚴(yán)重。

目前，現(xiàn)有線路板常用的屏蔽膜包括屏蔽層和導(dǎo)電膠層，通過(guò)導(dǎo)電膠層將屏蔽層與線路板地層連接，進(jìn)而將干擾電荷導(dǎo)入線路板地層，實(shí)現(xiàn)屏蔽。在現(xiàn)有技術(shù)中，另一種常用的方法是去除膠膜層中的導(dǎo)電粒子，并在平整屏蔽層上形成一定粗糙度的表面，然后通過(guò)屏蔽層的粗糙表面刺穿膠膜層，從而使得屏蔽層與線路板的地層接觸連接，但是這種方案存在容膠量小和刺穿力度不足的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型實(shí)施例的目的是提供一種電磁屏蔽膜及線路板，能有效解決現(xiàn)有技術(shù)容膠量不足而容易導(dǎo)致高溫爆板現(xiàn)象，刺穿力度強(qiáng)，剝離強(qiáng)度高，避免爆板現(xiàn)象的發(fā)生。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種電磁屏蔽膜，包括第一屏蔽層、第二屏蔽層、膠膜層和若干凸?fàn)铑w粒；所述第一屏蔽層包括相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第二表面為起伏的非平整表面；所述若干凸?fàn)铑w粒附著在所述第一屏蔽層的第二表面上；所述第二屏蔽層配置在所述第一屏蔽層的第二表面上，并覆蓋所述若干凸?fàn)铑w粒，從而在所述第二屏蔽層的外表面的與所述凸?fàn)铑w粒對(duì)應(yīng)的位置形成凸部，而在其他位置形成凹部，所述第二屏蔽層的外表面的起伏度大于所述第二表面的起伏度；所述膠膜層配置在所述第二屏蔽層的外表面上。

作為上述方案的改進(jìn)，所述凸?fàn)铑w粒包括導(dǎo)體顆粒、半導(dǎo)體顆粒、絕緣體顆粒和包覆復(fù)合顆粒的一種或多種。

作為上述方案的改進(jìn)，所述凸?fàn)铑w粒的高度為0.1μm-30μm。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第二屏蔽層的外表面上還形成有若干導(dǎo)電凸起。

作為上述方案的改進(jìn)，所述導(dǎo)電凸起集中分布于所述凸部上。

作為上述方案的改進(jìn)，所述膠膜層包括含有導(dǎo)電粒子的黏著層。

作為上述方案的改進(jìn)，所述膠膜層包括不含導(dǎo)電粒子的黏著層。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第一屏蔽層和第二屏蔽層包括金屬屏蔽層、碳納米管屏蔽層、鐵氧體屏蔽層和石墨烯屏蔽層中的一種或多種。