[實用新型]功率半導體分立器件散熱結構及電氣裝置

有效

• 申請號: 201820349477.4
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN208028049U
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發明（設計）人: 肖齊
• 申請（專利權）人: 蘇州匯川聯合動力系統有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 陸軍

1.一種功率半導體分立器件散熱結構，所述功率半導體分立器件包括封裝在絕緣外殼內的芯片以及焊接到所述芯片的銅框架，且所述銅框架露出于所述絕緣外殼的底部，其特征在于，所述散熱結構包括散熱器和陶瓷基片；所述陶瓷基片的上表面具有第一金屬層、下表面具有第二金屬層，且所述第一金屬層和第二金屬層相互絕緣；所述功率半導體分立器件的銅框架焊接到所述陶瓷基片的第一金屬層，所述散熱器焊接到所述陶瓷基片的第二金屬層。

2.根據權利要求1所述的功率半導體分立器件散熱結構，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層為覆銅。

3.根據權利要求1所述的功率半導體分立器件散熱結構，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層分別鍵合在所述陶瓷基片的上表面和下表面。

4.根據權利要求1所述的功率半導體分立器件散熱結構，其特征在于，所述功率半導體分立器件的銅框架與所述陶瓷基片的第一金屬層之間通過釬焊方式焊接，所述散熱器與所述陶瓷基片的第二金屬層之間通過釬焊方式焊接。

5.根據權利要求1所述的功率半導體分立器件散熱結構，其特征在于，所述第一金屬層的面積小于所述陶瓷基片上表面的面積并大于所述銅框架露出絕緣外殼的面積。

6.根據權利要求1所述的功率半導體分立器件散熱結構，其特征在于，所述第二金屬層的面積小于所述陶瓷基片下表面的面積。

7.根據權利要求1所述的功率半導體分立器件散熱結構，其特征在于，所述散熱器包括散熱基板以及位于散熱基板一側的散熱齒片，所述散熱器的散熱基板焊接在第二金屬層上。

8.根據權利要求1所述的功率半導體分立器件散熱結構，其特征在于，所述陶瓷基片的厚度小于或等于1mm。

9.一種電氣裝置，包括至少一個功率半導體分立器件，其特征在于，所述電氣裝置還包括如權利要求1-8中任一項所述的功率半導體分立器件散熱結構。