[實(shí)用新型]一種COB燈板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820347313.8
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN207880485U
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁衛(wèi)峰;張敏
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫永友電子有限公司
• 主分類號: F21K9/20
• 分類號: F21K9/20;F21V23/00;H05B33/08;F21Y115/10
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260
• 代理人: 張歡勇

1.一種COB燈板，其特征在于：包括鋁基板及設(shè)于鋁基板上的N個(gè)COB燈珠模塊、N個(gè)電源正極接線端和1個(gè)電源負(fù)極接線端，每個(gè)COB燈珠模塊均包括1個(gè)COB燈珠和1個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)電源正極接線端和電源負(fù)極接線端構(gòu)成1個(gè)電源接入端口組用于接入電源并對應(yīng)為1個(gè)COB燈珠模塊供電，其中N取正整數(shù)；

在1個(gè)電源接入端口組對應(yīng)1個(gè)COB燈珠模塊的結(jié)構(gòu)中：COB燈珠包括3～14個(gè)LED裸芯片，所述3～14個(gè)LED裸芯片順序串聯(lián)且封裝于硅膠內(nèi)，第1個(gè)LED裸芯片的負(fù)極與第2個(gè)LED裸芯片的正極相連，第2個(gè)LED裸芯片的負(fù)極與第3個(gè)LED裸芯片的正極相連，以此類推，倒數(shù)第2個(gè)LED裸芯片的負(fù)極與倒數(shù)第1個(gè)LED裸芯片的正極相連,其中n取正整數(shù)；驅(qū)動(dòng)電路包括恒流驅(qū)動(dòng)芯片和電阻，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片包括信號輸入端、信號輸出端和校準(zhǔn)信號輸入端，電阻的一端與恒流驅(qū)動(dòng)芯片的校準(zhǔn)信號輸入端相連，另一端與COB燈珠的第1個(gè)LED裸芯片的正極相連，COB燈珠的倒數(shù)第1個(gè)LED裸芯片的負(fù)極與電源負(fù)極接線端相連，恒流驅(qū)動(dòng)芯片的信號輸入端與電源正極接線端相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COB燈板，其特征在于：每個(gè)COB燈珠內(nèi)的LED裸芯片數(shù)量相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COB燈板，其特征在于：每個(gè)COB燈珠內(nèi)的LED裸芯片數(shù)量不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COB燈板，其特征在于：所述鋁基板呈矩形，所述鋁基板上設(shè)有1個(gè)COB燈珠模塊，所述COB燈珠模塊的COB燈珠包括14個(gè)LED裸芯片，14個(gè)LED裸芯片呈陣列分布且封裝于圓形硅膠內(nèi)，并位于鋁基板的中心處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COB燈板，其特征在于：所述鋁基板呈矩形，所述鋁基板上設(shè)有2個(gè)COB燈珠模塊，其中一個(gè)COB燈珠模塊的COB燈珠包括14個(gè)LED裸芯片，14個(gè)LED裸芯片分為兩組且對稱分布于鋁基板圓周兩側(cè)，每組LED裸芯片呈弧形分布且封裝于弧形硅膠內(nèi)，另一個(gè)COB燈珠模塊的COB燈珠包括13個(gè)LED裸芯片，13個(gè)LED裸芯片呈陣列分布且封裝于圓形硅膠內(nèi)，并位于鋁基板的中心處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COB燈板，其特征在于：所述鋁基板呈圓形，所述鋁基板上設(shè)有2個(gè)COB燈珠模塊，其中一個(gè)COB燈珠模塊的COB燈珠包括13個(gè)LED裸芯片，13個(gè)LED裸芯片沿鋁基板圓周環(huán)形分布且封裝于環(huán)形硅膠內(nèi)，另一個(gè)COB燈珠模塊的COB燈珠包括13個(gè)LED裸芯片，13個(gè)LED裸芯片呈陣列分布且封裝于圓形硅膠內(nèi)，并位于鋁基板的中心處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一權(quán)利要求所述的COB燈板，其特征在于：所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片包括啟動(dòng)單元、直流偏置單元、輸出驅(qū)動(dòng)單元、過溫保護(hù)單元、差分放大器單元、基準(zhǔn)電路單元、過壓保護(hù)單元、過流保護(hù)單元和輸出單元；

所述啟動(dòng)單元包括結(jié)型場效應(yīng)管J1、電阻R1和穩(wěn)壓管D1；所述直流偏置單元包括電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、晶體管Q1、晶體管Q2、晶體管Q3、晶體管Q4、晶體管Q5、晶體管Q6、晶體管Q7和晶體管Q8；所述輸出驅(qū)動(dòng)單元包括電阻R11、電阻R12、晶體管Q9和晶體管Q10；所述過溫保護(hù)單元包括電阻R13、晶體管Q11和晶體管Q12；所述差分放大器單元包括電阻R14、電阻R15、晶體管Q13、晶體管Q14、晶體管Q15、晶體管Q16、電容C1和電容C2；所述基準(zhǔn)電路單元包括電阻R16、電阻R17、晶體管Q17、晶體管Q18、晶體管Q19和晶體管Q20；所述過壓保護(hù)單元包括穩(wěn)壓管D2、穩(wěn)壓管D3、電阻R18、電阻R19和晶體管Q21；所述過流保護(hù)單元包括電阻R20、電阻R21、與過壓保護(hù)單元共用的電阻R19和晶體管Q21；所述輸出單元包括電阻R22、晶體管Q22和晶體管Q23；

所述結(jié)型場效應(yīng)管J1的柵極與源極相連，源極分別與電阻R1的一端和穩(wěn)壓管D1的陰極相連，漏極作為驅(qū)動(dòng)電路芯片的信號輸入端且分別與電阻R2的一端、電阻R3的一端、電阻R4的一端、電阻R11的一端、電阻R12的一端、電阻R14的一端、晶體管Q14的集電極、穩(wěn)壓管D2的陰極、晶體管Q22的集電極、晶體管Q23的集電極相連；所述晶體管Q1的發(fā)射極與電阻R2的另一端相連，集電極分別與晶體管Q13的基極、電阻R5的一端相連，基極分別與電阻R5的另一端、晶體管Q2的基極、晶體管Q3的基極、晶體管Q4的集電極相連；所述晶體管Q2的發(fā)射極與電阻R3的另一端相連，集電極分別與電阻R1的另一端、電阻R6的一端、晶體管Q4的基極、晶體管Q5的基極、晶體管Q6的基極相連；所述晶體管Q3的發(fā)射極與電阻R4的另一端相連，集電極分別與電阻R7的一端、晶體管Q7的發(fā)射極、晶體管Q11的發(fā)射極相連；所述晶體管Q4的發(fā)射極與電阻R8的另一端相連；所述晶體管Q5的集電極分別與晶體管Q9的集電極、晶體管Q9的基極、晶體管Q10的基極相連，發(fā)射極與電阻R9的一端相連；所述晶體管Q6的集電極分別與電阻R6的另一端、晶體管Q7的基極、晶體管Q8的基極相連；所述晶體管Q8的集電極分別與電阻R7的另一端、晶體管Q11的基極相連，發(fā)射極與電阻R10的一端相連；所述晶體管Q9的發(fā)射極與電阻R11的另一端相連；所述晶體管Q10的發(fā)射極與電阻R12的另一端相連，集電極分別與晶體管Q12的集電極、晶體管Q15的發(fā)射極、晶體管Q17的發(fā)射極、晶體管Q18的發(fā)射極、晶體管Q21的集電極、晶體管Q22的基極相連；所述晶體管Q11的集電極分別與電阻R13的一端、晶體管Q12的基極相連；所述晶體管Q13的發(fā)射極與電阻R14的另一端相連，集電極分別與晶體管Q14的基極、晶體管Q16的發(fā)射極相連；所述晶體管Q14的發(fā)射極分別與電阻R15的一端、晶體管Q15的基極相連；所述晶體管Q16的基極分別與電容C1的一端、電容C2的一端、晶體管Q17的集電極、晶體管Q19的集電極相連；所述晶體管Q18的集電極分別與晶體管Q17的基極、晶體管Q18的基極、晶體管Q20的集電極相連；所述晶體管Q19的發(fā)射極分別與電阻R16的一端、電阻R17的一端相連；所述晶體管Q2O的發(fā)射極與電阻R16的另一端相連；所述晶體管Q21的發(fā)射極與電阻R19的一端相連，基極分別與電阻R18的一端、電阻R20的一端相連；所述晶體管Q22的發(fā)射極分別與晶體管Q23的基極、電阻R22的一端相連；所述晶體管Q23的發(fā)射極分別與電阻R22的另一端、電阻R20的另一端、電阻R15的另一端、電阻R21的一端相連；所述穩(wěn)壓管D1的陽極分別與電阻R8的另一端、電阻R9的另一端、晶體管Q6的發(fā)射極、晶體管Q7的發(fā)射極、電阻R10的另一端、電阻R13的另一端、晶體管Q12的發(fā)射極、晶體管Q15的集電極、晶體管Q16的集電極、電容C1的另一端、晶體管Q19的基極、晶體管Q20的基極、電阻R19的另一端、電阻R21的另一端相連，且作為驅(qū)動(dòng)電路芯片的信號輸出端；所述穩(wěn)壓管D2的陽極與穩(wěn)壓管D3的陰極相連；所述穩(wěn)壓管D3的陽極與電阻R18的另一端相連；所述電容C2的另一端與電阻R17的另一端相連，且作為驅(qū)動(dòng)電路芯片的校準(zhǔn)信號輸入端。