[實用新型]電池片載板翻轉機構及電池片鍍膜工藝生產線有效
| 申請號: | 201820347129.3 | 申請日: | 2018-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN207967026U | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 楊斌 | 申請(專利權)人: | 君泰創新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 哈達 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京經*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池片 載板 鍍膜工藝 翻轉機構 固定銷 本實用新型 翻轉裝置 卡接結構 驅動結構 翻轉 卡槽 頂升裝置 鍍膜效率 工藝結果 固定設置 外界環境 載板上升 軸線方向 驅動卡 真空腔 伸縮 卡入 卡設 平行 轉動 自動化 優化 | ||
本實用新型公開了一種電池片載板翻轉機構及電池片鍍膜工藝生產線,其中,該翻轉機構包括用于使載板上升或下降的頂升裝置和翻轉裝置;其中,翻轉裝置包括第一驅動結構、卡接結構和固定銷,第一驅動結構用于驅動卡接結構伸縮和轉動,卡接結構中設置有用于卡設載板的卡槽,固定銷固定設置在卡槽的底面上,且固定銷的軸線方向平行于載板卡入卡槽中的方向。本實用新型提供的電池片載板翻轉機構及電池片鍍膜工藝生產線,實現了對載板的自動化翻轉,同時也實現了在真空腔中進行電池片翻轉操作,避免了外界環境對鍍膜工藝的影響,優化了工藝結果,同時也提高了鍍膜效率。
技術領域
本實用新型涉及光伏組件制造技術領域,尤其涉及一種電池片載板翻轉機構及電池片鍍膜工藝生產線。
背景技術
硅片在進行鍍膜工藝時需要對其兩面分別進行鍍膜,在現有技術中。板式鍍膜設備只能單方向進行鍍膜工藝,即在鍍完硅片的一個面后需要把硅片進行翻面,再進行另一個面的鍍膜工藝。而在電池片完成上表面的鍍膜工藝后,需要將電池片輸出鍍膜設備,并進入大氣狀態下的翻片工位上,通過人工完成電池片的翻轉,然后再次進入鍍膜設備,以進行電池片下表面的鍍膜。但是,電池片在完成上表面的鍍膜后,需要將電池片降低到一定溫度后,才可以從鍍膜設備中輸出,如果在不降溫的情況下直接進入翻片工位時,由于大氣溫度相對較冷,會發生電池片崩壞、載板變形等問題,同時,電池片在大氣中易受到污染;此外,降溫的過程以及人工翻片也會影響鍍膜工藝的節拍,浪費人力成本。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種電池片載板翻轉機構及電池片鍍膜工藝生產線,以解決上述現有技術中的問題,減少外界環境對鍍膜工藝的影響,優化工藝結果,提高設備鍍膜效率。
本實用新型提供了一種電池片載板翻轉機構,其中,包括:
用于使載板上升或下降的頂升裝置;
翻轉裝置,所述翻轉裝置包括第一驅動結構、卡接結構和固定銷,所述第一驅動結構用于驅動所述卡接結構伸縮和轉動,所述卡接結構中設置有用于卡設所述載板的卡槽,所述固定銷固定設置在所述卡槽的底面上,且所述固定銷的軸線方向平行于所述載板卡入所述卡槽中的方向。
如上所述的電池片載板翻轉機構,其中,優選的是,所述頂升裝置包括頂升支架和頂升氣缸,所述頂升支架的一端與所述頂升氣缸的氣缸桿相連,所述頂升支架的另一端設置有用于頂升所述載板的卡塊。
如上所述的電池片載板翻轉機構,其中,優選的是,所述頂升支架對稱設置有兩組,兩組所述頂升支架上的卡塊上相對的一側均設置有卡接斜面。
如上所述的電池片載板翻轉機構,其中,優選的是,還包括用于傳輸所述載板的傳輸裝置。
如上所述的電池片載板翻轉機構,其中,優選的是,所述傳輸裝置包括傳輸輥和第二驅動結構,所述第二驅動結構用于驅動所述傳輸輥伸縮和轉動。
如上所述的電池片載板翻轉機構,其中,優選的是,所述傳輸輥包括大徑段和小徑段,所述大徑段與所述第二驅動結構相連,所述小徑段的上端面與所述載板接觸。
如上所述的電池片載板翻轉機構,其中,優選的是,所述卡接結構包括卡接主體、上卡板和下卡板,所述卡接主體的一端與所述第一驅動結構相連,所述卡接主體的另一端分別與所述上卡板和所述下卡板固定連接,且所述上卡板和所述下卡板之間形成所述卡槽。
如上所述的電池片載板翻轉機構,其中,優選的是,所述上卡板和所述下卡板相對一側的端部均設置有倒角。
如上所述的電池片載板翻轉機構,其中,優選的是,所述固定銷為錐形,所述固定銷的大徑端與所述卡槽的底面固定連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





