[實用新型]智能控制IGBT輸出的驅動電路

有效

• 申請號: 201820333893.5
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN207968446U
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 陽孝發;姜宗軍
• 申請（專利權）人: 寧波申菱機電科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/0814
• 分類號: H03K17/0814;H03K17/0416;H03K17/567
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種智能控制IGBT輸出的驅動電路，包括DSP處理器、光電耦合器和絕緣柵雙極型晶體管,所述耦合器的FAULT引腳經電阻R2連接處理器的信號輸入端，耦合器的CATHODE引腳和CATHODE引腳經電阻R4連接處理器的PWM波信號輸出端,耦合器的VE引腳連接晶體管的S端,耦合器的DESAT引腳經電阻R8、二極管D3、二極管D4連接晶體管的D端，耦合器的VOUT引腳經電阻R10連接晶體管的G端，本實用新型有效的控制了IGBT 工作電流最大值達到額定電流，實現了各種情況下造成IGBT過流的保護。

技術領域

本實用新型屬于IGBT控制電路技術領域，特別是涉及一種智能控制IGBT輸出的驅動電路。

背景技術

IGBT指絕緣柵雙極型晶體管，它是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。

電梯驅動系統隨著電子技術的不斷發展發生著日新月異的變化，從晶閘管到分體式模塊，兩單元模塊到柒單元模塊，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是現在變頻器和逆變器的主要功率器件。而開通和關閉IGBT的柵極電壓與波形質量成為控制運用IGBT的關鍵。開通電壓正15V的正柵極電壓，可以產生完全飽和，而且開關損耗最小，選擇關斷電壓在負9V目的是出現干擾時仍然可以有效關斷，并且關斷損耗最小，消除米勒效應。波形質量主要是由柵極電阻和柵極電容決定的，柵極電阻與柵極電容取值偏小時，充放電較快，能減小開關時間和開關損耗，但容易產生振蕩，柵極電阻與柵極電容取值偏大時，充放電較慢，雖然波形比較平緩，但開關損耗大，所以要選擇匹配的柵極電阻柵極電容，同時IGBT輸出有過流，短路時，必須判斷準確，DSP微處理器會根據設計時的數據判別IGBT是否是正真的過流。因此要求檢測過流短路電路的靈敏度要高，處理速度要快。IGBT輸出開通時漏極與源極的管壓降檢測時間電路必須控制準確，在規定的時間范圍。整個軟關斷IBGT的時間在10us之內，如果在10us不能關斷IGBT的輸出，就會導致IGBT損壞。

因此，如何解決上述問題成為本領域人員研究的重點。

實用新型內容

本實用新型的目的就是提供智能控制IGBT輸出的驅動電路，能完全解決上述現有技術的不足之處。

本實用新型的目的通過下述技術方案來實現：

一種智能控制IGBT輸出的驅動電路，包括DSP處理器、光電耦合器和絕緣柵雙極型晶體管,所述光電耦合器包括VS引腳1、VS引腳4、VCC1引腳2、FAULT引腳3、ANODE引腳6、ANODE引腳7、CATHODE引腳5、CATHODE引腳8、VE引腳16、VLED引腳15、DESAT引腳14、VCC2引腳13、VOUT引腳11、VCLAMP引腳10、VEE引腳12和VEE引腳9，所述 FAULT引腳3連接電阻R2的一端,電阻R2的另一端連接DSP處理器的信號輸入端，所述CATHODE引腳5和CATHODE引腳8共同連接電阻R4的一端，電阻R4的另一端連接DSP處理器的PWM波信號輸出端，所述VE引腳16連接絕緣柵雙極型晶體管的S端，所述DESAT引腳14連接電阻R8的一端,電阻R8的另一端連接二極管D3的正極，二極管D3的負極連接二極管D4的正極,二極管D4的負極連接絕緣柵雙極型晶體管的D端，所述VOUT引腳11連接電阻R10的一端，電阻R10的另一端連接絕緣柵雙極型晶體管的G端，所述電阻R10兩端并聯有電阻R9和二極管D5,所述電阻R9的一端與電阻R10靠近VOUT引腳11的一端連接，電阻R9另一端連接二極管D5的負極，二極管D5的正極連接電阻R10靠近絕緣柵雙極型晶體管的一端，所述絕緣柵雙極型晶體管的G端與二極管D5正極之間連接二極管D6的負極，二極管D6的正極連接二極管D7的正極，二極管D7的正極連接絕緣柵雙極型晶體管的S端，所述二極管D6的負極與絕緣柵雙極型晶體管的G之間連接電容C8的一端，電容C8的另一端連接在二極管D7的正極與絕緣柵雙極型晶體管的S端之間，所述電容C8與絕緣柵雙極型晶體管的G端之間連接電阻R6的一端，所述電阻R6的另一端連接在電容C8和絕緣柵雙極型晶體管的S端之間。