[實用新型]一種基于三極管的過壓保護電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820331471.4
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN208423764U
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉沁峰
• 申請（專利權(quán)）人: 浩海威半導(dǎo)體（深圳）有限公司
• 主分類號: H02H3/20
• 分類號: H02H3/20
• 代理公司: 深圳市添源知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44451
• 代理人: 黎健任

本實用新型涉及一種基于三極管的過壓保護電路，包括:MicroUSB接口J1、穩(wěn)壓二極管D1、分壓電阻R30、分壓電阻R31、三極管Q7、上拉電阻R29、濾波電路以及MOS管Q8；所述MicroUSB接口J1中的第1引腳（VIN腳）分別與穩(wěn)壓二極管D1的負(fù)極、上拉電阻R29的一端以及濾波電路中的電容C1和電阻R1的一端連接，所述穩(wěn)壓二極管D1的正極與所述分壓電阻R30的一端連接，所述分壓電阻R30的另一端連接兩個支路。本實用新型不需要芯片類的電壓保護電路就能實現(xiàn)電路的過壓保護，滿足日益增長的成本控制和過壓保護的需求，且本實用新型的電路元器件少，原理簡單易控制、簡單可靠。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電源保護技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于三極管的過壓保護電路。

背景技術(shù)

在消費類電子日益不斷發(fā)展的背景下，市場對于整個產(chǎn)品的成本和性能都要求越來越高，為了避免因人為誤接高電壓電源、或者工作電壓的不穩(wěn)定等原因造成的電壓過高而可能導(dǎo)致的電路系統(tǒng)誤動作或燒毀電源，通常需要設(shè)置各種過壓保護。目前進行過壓保護可采用專用的過壓保護IC，但專用過壓保護IC成本較高，且器件不易采購。且現(xiàn)有的過壓保護方案大多采用后置保護方式，在這種方式下只能設(shè)定單一保護電壓值，不能滿足在各種情況下的使用需求。

實用新型內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足，本實用新型提供了一種基于三極管的過壓保護電路。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采取的技術(shù)方案為提供一種基于三極管的過壓保護電路，包括：MicroUSB接口J1、穩(wěn)壓二極管D1、分壓電阻R30、分壓電阻R31、三極管Q7、上拉電阻R29、濾波電路以及MOS管Q8；所述 MicroUSB接口J1中的第1引腳分別與穩(wěn)壓二極管D1的負(fù)極、上拉電阻R29 的一端以及濾波電路中的電容C1和電阻R1的一端連接至電壓輸入端；所述穩(wěn)壓二極管D1的正極與所述分壓電阻R30的一端連接，所述分壓電阻 R30的另一端連接兩個支路，其一支路與所述分壓電阻R31的一端連接，所述電阻R31的另一端接地，另一支路與所述三極管Q7的基極連接，所述三極管Q7的集電極與所述上拉電阻R29的另一端連接，所述三極管Q7的發(fā)射極接地；所述MicroUSB接口J1中的第4引腳、第5引腳、第6引腳和第7引腳均接地；所述MOS管Q8的G極與所述三極管Q7的集電極連接，所述MOS管Q8的D極接地，所述MOS管Q8的S極接地。

作為本實用新型的進一步改進，所述濾波電路由電阻R1串聯(lián)電容C6 與電容C1并聯(lián)，所述電容C1的一端與所述MicroUSB接口J1中的第1引腳，所述電容C1的另一端接地。

作為本實用新型的進一步改進，所述濾波電路中電阻R1的阻值為1Ω，電容C6的容值為10μF，電容C1的容值為10μF。

作為本實用新型的進一步改進，所述分壓電阻R30的阻值為470Ω、所述分壓電阻R31的阻值為1.3kΩ，所述上拉電阻R29的阻值為1kΩ。

本實用新型的有益效果是：

1、本實用新型通過穩(wěn)壓二極管D1的穩(wěn)壓特性曲線去控制三極管Q7 的基極電壓，來控制三極管Q7的導(dǎo)通和截止，然后再去控制MOS管Q8的導(dǎo)通和截止從而來進行過壓保護。

2、本實用新型為無需要芯片類的電壓保護電路就能實現(xiàn)電路的過壓保護，滿足日益增長的成本控制和過壓保護的需求，且本實用新型的電路元器件少，原理簡單易控制、簡單可靠。

附圖說明

圖1是本實用新型的基于三極管的過壓保護電路的電路圖。

圖2是本實用新型的基于三極管的過壓保護電路的穩(wěn)壓管二極管D1 的Iz和Vz的穩(wěn)壓曲線圖。

圖3是本實用新型的基于三極管的過壓保護電路的三極管Q7三極管的Ic和V_BE的曲線圖。

具體實施方式