[實用新型]一種進光區域無重摻雜層遮擋的異質結晶體硅雙面太陽電池結構

有效

• 申請號: 201820330999.X
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN208315556U
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 岳之浩;周浪;黃海賓;袁吉仁;高超
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0725;H01L31/054
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種進光區域無重摻雜層遮擋的異質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是以n型晶體硅片（5）作為基底，其發射極面分為發射極-導電區域和鈍化-進光區域：發射極-導電區域由基底向外依次由本征非晶硅鈍化層（3）、重摻雜p型非晶硅層（2）、金屬柵線I（1）構成，鈍化-進光區域由鈍化減反射層I（4）構成，這兩個區域交叉分布且不重疊；

其背電場面分為鈍化-進光區域和背電場-導電區域：鈍化-進光區域由基底向外依次為重摻雜n型晶體硅層II（6）、鈍化減反射層II（7）；背電場-導電區域由基底向外依次為重摻雜n型晶體硅層II（6）、金屬柵線II（8），這兩個區域交叉分布且不重疊。

2.根據權利要求1所述的一種進光區域無重摻雜層遮擋的異質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是在金屬柵線I（1）與重摻雜p型非晶硅層（2）之間設有一過渡TCO層。

3.根據權利要求1所述的一種進光區域無重摻雜層遮擋的異質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的鈍化減反射層I（4）為二氧化硅/氮化硅復合薄膜層。

4.根據權利要求1所述的一種進光區域無重摻雜層遮擋的異質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的鈍化減反射層II（7）為氮化硅層。

5.根據權利要求1所述的一種進光區域無重摻雜層遮擋的異質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是器件表面金屬柵線總覆蓋面積比例為1~3%。