[實(shí)用新型]集成有功率開關(guān)管的電源管理集成電路及電源管理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820329682.4
• 申請日: 2018-03-09
• 公開（公告）號: CN208112499U
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李家紅;李杰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M3/158
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種集成有功率開關(guān)管的電源管理集成電路，其特征在于，包括MOS芯片和主控芯片，

所述MOS芯片包括結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，所述結(jié)型場效應(yīng)管的輸入端連接所述電源管理集成電路的電源輸入端，所述結(jié)型場效應(yīng)管的輸出端連接所述主控芯片的VDD端，用于給所述主控芯片提供工作電壓；所述結(jié)型場效應(yīng)管的受控端連接所述主控芯片，所述主控芯片在監(jiān)控到所述VDD端的電壓達(dá)到周期上限值時(shí)，通過所述受控端控制所述結(jié)型場效應(yīng)管關(guān)斷，并在監(jiān)控到所述VDD端的電壓下降到周期下限值時(shí)，通過所述受控端控制所述結(jié)型場效應(yīng)管導(dǎo)通以繼續(xù)向所述主控芯片提供工作電壓；所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的輸入端連接所述電源管理集成電路的電源輸入端，所述主控芯片包括脈沖寬度調(diào)制單元，所述脈沖寬度調(diào)制單元的輸出端連接所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的受控端，所述脈沖寬度調(diào)制單元通過輸出脈沖寬度調(diào)制信號控制所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的導(dǎo)通和關(guān)斷，從而控制所述電源管理集成電路輸出端的輸出信號的輸出與截止；

所述MOS芯片采用與所述主控芯片不同的制造工藝進(jìn)行制造，使得所述MOS芯片的耐壓高于所述主控芯片、線寬大于所述主控芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率開關(guān)管的電源管理集成電路，其特征在于，所述結(jié)型場效應(yīng)管為耗盡型，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管為增強(qiáng)型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成有功率開關(guān)管的電源管理集成電路，其特征在于，所述結(jié)型場效應(yīng)管為N溝道耗盡型，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管為N溝道增強(qiáng)型，所述結(jié)型場效應(yīng)管的輸入端是漏極，所述結(jié)型場效應(yīng)管的輸出端是源極，所述結(jié)型場效應(yīng)管的受控端是柵極；所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的輸入端是漏極，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的受控端是柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率開關(guān)管的電源管理集成電路，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的輸出端連接所述電源管理集成電路的片選端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成有功率開關(guān)管的電源管理集成電路，其特征在于，所述MOS芯片的耐壓大于等于500伏特，所述主控芯片的耐壓大于等于5伏特，小于等于40伏特。

6.一種集成有功率開關(guān)管的電源管理裝置，包括引線框架和絕緣保護(hù)外層，其特征在于，還包括MOS芯片和主控芯片，所述引線框架包括第一基島和第二基島，所述MOS芯片設(shè)于所述第一基島上，所述主控芯片設(shè)于第二基島上；

所述MOS芯片包括結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，所述結(jié)型場效應(yīng)管的輸入端連接所述電源管理裝置的電源輸入端，所述結(jié)型場效應(yīng)管的輸出端連接所述主控芯片的VDD端，用于給所述主控芯片提供工作電壓；所述結(jié)型場效應(yīng)管的受控端連接所述主控芯片，所述主控芯片在監(jiān)控到所述VDD端的電壓達(dá)到周期上限值時(shí)，通過所述受控端控制所述結(jié)型場效應(yīng)管關(guān)斷，并在監(jiān)控到所述VDD端的電壓下降到周期下限值時(shí)，通過所述受控端控制所述結(jié)型場效應(yīng)管導(dǎo)通以繼續(xù)向所述主控芯片提供工作電壓；所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的輸入端連接所述電源管理裝置的電源輸入端，所述主控芯片包括脈沖寬度調(diào)制單元，所述脈沖寬度調(diào)制單元的輸出端連接所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的受控端，所述脈沖寬度調(diào)制單元通過輸出脈沖寬度調(diào)制信號控制所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的導(dǎo)通和關(guān)斷，從而控制所述電源管理裝置輸出端的輸出信號的輸出與截止；

所述MOS芯片采用與所述主控芯片不同的制造工藝進(jìn)行制造，使得所述MOS芯片的耐壓高于所述主控芯片、線寬大于所述主控芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成有功率開關(guān)管的電源管理裝置，其特征在于，所述結(jié)型場效應(yīng)管為耗盡型，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管為增強(qiáng)型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成有功率開關(guān)管的電源管理裝置，其特征在于，所述結(jié)型場效應(yīng)管為N溝道耗盡型，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管為N溝道增強(qiáng)型，所述結(jié)型場效應(yīng)管的輸入端是漏極，所述結(jié)型場效應(yīng)管的輸出端是源極，所述結(jié)型場效應(yīng)管的受控端是柵極；所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的輸入端是漏極，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的受控端是柵極。