[實用新型]IGBT模組散熱裝置及其散熱基板有效
| 申請號: | 201820320652.7 | 申請日: | 2018-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN207993856U | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 林華星;陳聰俊 | 申請(專利權)人: | 金利精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/367 | 分類號: | H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京申翔知識產權代理有限公司 11214 | 代理人: | 黃超;周春發 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粗化結構 散熱基板 第一表面 散熱本體 散熱裝置 流體 第二表面 晶片基板 結合性 擾流 | ||
1.一種散熱基板,其特征在于,該散熱基板(100)至少包含:
一散熱本體(10),由至少一碳化矽陶瓷基材(11)以及于該碳化矽陶瓷基材(11)外側包覆一鋁合金層(12)所組成;
一第一表面(21),設于散熱本體(10)的一側,其于該第一表面(21)形成有一第一粗化結構(211);
一第二表面(22),設于散熱本體(10)且相對該第一表面(21)的另一側,其于該第二表面(22)中段緣面設有一散熱組件(222),并于該第二表面(22)外側緣面設有一第二粗化結構(221)。
2.如權利要求1所述的散熱基板,其特征在于,該第一粗化結構(211)的粗糙度介于0.15μm與10.0μm之間,以及該第二粗化結構(221)的粗糙度介于0.15μm與10.0μm之間。
3.如權利要求1所述的散熱基板,其特征在于,該第一粗化結構(211)及該第二粗化結構(221)全面披覆一鍍膜層(A)。
4.如權利要求3所述的散熱基板,其特征在于,該第一表面(21)設置有至少一功能區(212),又該功能區(212)外側緣面涂布一阻隔層(B)而形成。
5.如權利要求3所述的散熱基板,其特征在于,該第一表面(21)于該鍍膜層(A)緣面內局部涂布至少一阻隔層(B)形成至少一功能區(212)。
6.如權利要求1所述的散熱基板,其特征在于,該散熱組件(222)形成柱狀的復數散熱柱(2221),該散熱組件(222)的該復數散熱柱(2221)以錯位排列,或該散熱組件(222)形成鰭片狀。
7.一種IGBT模組散熱裝置,其特征在于,至少包含:
一如權利要求1至6中任一所述的散熱基板(100);
至少一晶片組(30),由一晶片基板(31)及一IGBT晶片(32)所構成,該晶片組(30)設置于該散熱基板(100);該晶片基板(31)上設有該IGBT晶片(32),并以金屬線連接至外部電極;
一上蓋體(40),設于該散熱基板(100)一側,并與該第一表面(21)接觸;
一下蓋體(50),設于該散熱基板(100)一側,并與該第二表面(22)接觸罩蓋于該散熱組件(222),其設有一第一開口(51)以及一第二開口(52),該第一開口(51)以及該第二開口(52)貫通該下蓋體(50)。
8.如權利要求7所述的IGBT模組散熱裝置,其特征在于,該散熱基板(100)的該第一表面(21)設有導熱固定層與該晶片基板(31)固定。
9.如權利要求7所述的IGBT模組散熱裝置,其特征在于,該上蓋體(40)及該下蓋體(50)透過多個結合螺栓(S)接合,該上蓋體(40)及該下蓋體(50)之間設置至少一個以上的密封環(C)將兩者緊密結合。
10.如權利要求9所述的IGBT模組散熱裝置,其特征在于,該第一開口(51)以及該第二開口(52)及該散熱組件(222)形成一散熱用的水路(53)。
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