[實用新型]用于熱處理腔室的蓋和用于處理基板的設備

有效

• 申請號: 201820304691.8
• 申請日: 2018-03-06
• 公開（公告）號: CN208368473U
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 勞拉·郝勒查克;柴塔尼亞·A·普拉薩德;埃姆雷·庫瓦利奇
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本文描述的實施方式大體涉及具有用于熱處理腔室的蓋和用于處理基板的設備。所述設備包括腔室主體，所述腔室主體具有界定內部處理區的側壁和底壁。所述腔室還包括設置在所述腔室主體的內部處理區中的基板支撐件、環支撐件和旋轉器蓋。所述旋轉器蓋設置在環支撐件上。所述旋轉器蓋是不透明石英材料。所述旋轉器蓋有利地提供更有效的處理氣體加熱，由能夠承受處理條件同時提供更有效和均勻的處理的材料構成，且具有低CTE從而減少由于處理期間過度膨脹而導致的顆粒污染。

技術領域

本文描述的實施方式大體涉及基板的熱處理。

背景技術

基板的熱處理是半導體制造業的重要部分。基板在多種處理和設備中經受熱處理。在一些處理中，基板經受退火熱能，而在其他處理中，基板可能還要經受氧化型其他反應性化學條件。一個接一個的基板被放在設備中、加熱以進行處理、然后冷卻。用于熱處理基板的設備每天可經歷數百個極端加熱和冷卻循環。

除了基板的熱處理，操作設備的許多方面可能需要具有某些電學、光學或熱性質的材料。除復雜度增加外，半導體器件尺寸的不斷縮小依賴于對例如輸送至半導體處理腔室的處理氣體的流動和溫度的更加精確的控制。在橫流 (cross-flow)處理腔室中，處理氣體可被輸送至腔室且被引導跨過待處理的基板的表面。對希望延長設備在它們所經受的極端條件下的使用壽命的人員而言，設備的設計存在艱巨的工程挑戰。

因此，存在對能夠在現代半導體處理的極端熱循環下可靠地運行的設備的需要。

實用新型內容

本文描述的實施方式大體涉及熱處理設備。在一個實施方式中，公開一種用于熱處理腔室的旋轉器蓋。所述旋轉器蓋包括具有內部分和外部分的環件 (annulus)。所述環件是不透明石英材料。

在再一個實施方式中，公開一種用于熱處理腔室的蓋，所述蓋包括：不透明石英環件，所述不透明石英環件包括：內邊緣，所述內邊緣具有第一厚度；和外邊緣，所述外邊緣具有大于所述第一厚度的第二厚度。

所述不透明石英環件可由硅黑石英制成。

所述不透明石英環件可進一步具有凹形表面，所述凹形表面在所述內邊緣與所述外邊緣之間。

所述環件可進一步包括內唇，所述內唇從所述凹形表面徑向向內延伸至所述內邊緣。

所述凹形表面可在所述環件的所述內唇與底部之間。

所述環件可具有頂表面，并且其中所述環件的所述頂表面成凹形。

在另一實施方式中，公開一種用于處理基板的設備。所述設備包括腔室主體，所述腔室主體具有界定內部處理區的側壁和底壁。腔室還包括設置于所述腔室主體的內部處理區中的基板支撐件、環支撐件(ring support)、和設置于所述環支撐件上的旋轉器蓋。所述旋轉器蓋是不透明石英材料。所述環支撐件從所述側壁向內延伸。

所述不透明石英材料可以是硅黑石英。

所述蓋可具有環形主體和內唇，所述環形主體具有第三厚度，所述內唇具有小于所述第三厚度的第四厚度，其中所述內唇從所述環形主體徑向向內延伸。

所述蓋可具有外部分和內部分，并且其中所述外部分的厚度大于所述內部分的厚度。

所述內部分的頂部可與所述基板支撐件的頂部在同一平面上。

所述外部分的頂部可與所述基板支撐件的頂部在同一平面上。

所述設備進一步可包括間隙，所述間隙在所述蓋與所述基板支撐件之間。