[實用新型]一種多功能器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820302674.0 | 申請日: | 2018-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN207977318U | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陸亞林;劉宇;王建林;傅正平;殷小豐;李曉寧;楊萌萌 | 申請(專利權)人: | 中國科學技術大學 |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/43;H01L29/861;H01L21/329;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙青朵 |
| 地址: | 230026 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多功能器件 本實用新型 薄膜 二維材料 量子點 襯底 光電二極管 斷開 制備方法工藝 傳統(tǒng)半導體 薄膜電極 光電探測 光電響應 環(huán)境友好 膠體顆粒 金屬電極 平面結(jié)構 驅(qū)動電壓 溫度影響 整流特性 重新連接 傳統(tǒng)的 量子 制備 | ||
本實用新型提供了一種多功能器件,包括襯底,薄膜電極,量子點膠體顆粒,金屬電極。本實用新型在襯底上,通過將帶狀二維材料薄膜斷開,在外加驅(qū)動電壓作用下,用膠體量子點將斷開的薄膜重新連接的方式獲得多功能器件,最終形成二維材料薄膜/量子點/二維材料薄膜的特殊平面結(jié)構。本實用新型提供的多功能器件其功能類似傳統(tǒng)的光電二極管,具有很好的整流特性和光電探測性能,本實用新型提供的多功能器件與傳統(tǒng)半導體光電二極管的區(qū)別在于,其性能受溫度影響小,并且具有非常高的光電響應。同時,本實用新型提供的多功能器件的制備方法工藝簡單,對襯底沒有選擇,而且二維材料薄膜、量子點原材料廣泛,制備容易,成本低廉,對環(huán)境友好,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
技術領域
本實用新型涉及光電探測技術領域,尤其涉及一種多功能器件。
背景技術
基礎電子器件如二極管、光電探測器等是人們生活中常見的必不可少的電子器件。基于傳統(tǒng)半導體的電子器件已經(jīng)無法滿足人們?nèi)找嬖鲩L的需求,低維材料和器件正成為當今科學界的尖端領域。其中,石墨烯,單層二硫化鉬,寡層黑磷,富勒烯,碳納米管,碳量子點(CQDs)等低維材料因其優(yōu)異的物理性能和化學穩(wěn)定性而獲得了廣泛的研究。許多復合結(jié)構通過物理堆疊方法實現(xiàn),被廣泛研究和制作成原型電子器件,如Grzybowski等(Naturenanotechnology,2016,11(7):603-608.)使用帶有電荷的有機配體的官能化金屬納米粒子來制造化學電子學的電路,通過粘附兩層不同的帶電金屬納米顆粒,創(chuàng)建了一個沒有半導體的二極管,開/關比為6。陳等(Nano Letters,2017,17(7):4122-4129.)通過鉀離子參雜半邊黑磷的上表面,使得該半邊呈現(xiàn)P型參雜,另半邊本征N型,實現(xiàn)了理想因子為1.007和開/關比為104的p-n同質(zhì)結(jié)二極管。
然而,現(xiàn)有技術中這些具有多功能的優(yōu)秀結(jié)構的電子器件制備工藝繁瑣,原料成分復雜,而且性能不理想。高開關比以及高光電響應信號的光電探測器具有廣泛的需求。
實用新型內(nèi)容
有鑒于此,本實用新型的目的在于提供一種多功能器件,本實用新型提供的多功能器件具有較高的開關比和光電響應信號。
本實用新型提供了一種多功能器件,包括:
襯底;
設置在所述襯底表面的第一薄膜電極;
設置在所述襯底表面的第二薄膜電極;
所述第一薄膜電極和第二薄膜電極通過量子點膠體顆粒連接;
設置在所述第一薄膜電極表面的部分第一金屬電極,所述第一金屬電極的另一部分設置在所述襯底表面;
設置在所述第二薄膜電極表面的部分第二金屬電極,所述第二金屬電極的另一部分設置在所述襯底表面。
本實用新型對所述襯底的種類和來源沒有特殊的限制,采用本領域技術人員熟知的襯底即可,如硅襯底、二氧化硅襯底、玻璃襯底或塑料襯底;所述玻璃襯底優(yōu)選為石英玻璃襯底;所述塑料襯底優(yōu)選為柔性有機塑料襯底;所述塑料襯底優(yōu)選為聚酰亞胺襯底、聚萘二甲酸乙二醇酯襯底或聚對苯二甲酸乙二酯襯底。
在本實用新型中,所述第一薄膜電極和第二薄膜電極均設置在所述襯底表面。本實用新型對所述第一薄膜電極和第二薄膜電極的形狀和尺寸沒有特殊的限制,本領域技術人員可根據(jù)實際需要選擇合適形狀和尺寸的第一薄膜電極和第二薄膜電極。在本實用新型中,所述第一薄膜電極和第二薄膜電極的形狀優(yōu)選為矩形,所述第一薄膜電極和第二薄膜電極間隔設置在所述襯底表面,所述第一薄膜電極和第二薄膜電極優(yōu)選左右對稱分布在所述襯底表面。在本實用新型中,所述第一薄膜電極和第二薄膜電極之間的最短距離優(yōu)選為5~30微米,更優(yōu)選為10~25微米,最優(yōu)選為15~20微米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學技術大學,未經(jīng)中國科學技術大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820302674.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





