[實用新型]優(yōu)化碳化硅MOSFET開通波形的開環(huán)驅(qū)動電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820297655.3 | 申請日： | 2018-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN208272946U | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陸海峰;韓洋;柴建云;李永東 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687;H03K17/0814 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張潤 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 碳化硅MOSFET 驅(qū)動電路 門極 驅(qū)動電壓波形 門極電壓 驅(qū)動電阻 上升變化 開通 變化率 超調(diào) 減小 開環(huán) 反向電流尖峰 開通暫態(tài)過程 本實用新型 電流上升 電壓上升 電壓下降 反向電流 加速電壓 階段控制 控制電流 控制電路 控制驅(qū)動 門極電流 驅(qū)動電壓 下降過程 影響開關(guān) 柵源電壓 阻尼電阻 發(fā)生器 上升沿 導(dǎo)通 預(yù)設(shè) 優(yōu)化 | ||
1.一種優(yōu)化碳化硅MOSFET開通波形的開環(huán)驅(qū)動電路，其特征在于，包括：
驅(qū)動電壓波形發(fā)生器，用于產(chǎn)生一個預(yù)設(shè)上升沿的驅(qū)動電壓波形；
變門極驅(qū)動電阻控制電路，用于在開通暫態(tài)過程的不同階段控制門極驅(qū)動電阻的大小，其中，
在電流上升階段，碳化硅MOSFET的柵源電壓變化率和驅(qū)動電壓上升變化率一致，以通過控制所述驅(qū)動電壓上升變化率控制電流上升變化率和反向電流；在電壓下降階段，增加門極電流，以加速電壓下降過程，并減小開通損耗；在穩(wěn)定導(dǎo)通階段，增加門極阻尼電阻，以在不影響開關(guān)速度下，抑制門極電壓超調(diào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化碳化硅MOSFET開通波形的開環(huán)驅(qū)動電路，其特征在于，所述驅(qū)動電壓波形發(fā)生器包括：
第一電容C1；
電感L1和第一電阻R1，所述電感L1和第一電阻R1相互并聯(lián)且均與所述第一電容C1相連，以對所述第一電容C1充電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化碳化硅MOSFET開通波形的開環(huán)驅(qū)動電路，其特征在于，所述變門極驅(qū)動電阻控制電路包括：
第一門極驅(qū)動電阻Rgon1和第二門極驅(qū)動電阻Rgon2，所述第二門極驅(qū)動電阻Rgon2的阻值大于所述第一門極驅(qū)動電阻Rgon1的阻值；
MOS管MOSon，在所述電流上升階段和所述電壓下降階段時，所述MOS管MOSon處于開通狀態(tài)，門極電阻為所述第一門極驅(qū)動電阻Rgon1，并且在所述穩(wěn)定導(dǎo)通階段，所述MOS管MOSon處于關(guān)斷狀態(tài)，門極電阻為所述第一門極驅(qū)動電阻Rgon1和第二門極驅(qū)動電阻Rgon2之和。
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